[实用新型]一种光刻版

说明书

技术领域

本实用新型主要涉及到步进式光刻机的光刻版，其优点在于标记位于窄划片线中，不占用主管芯面积，提高芯片利用率。

背景技术

光刻版的套准标记(1)，是光刻机能够完成套准的必要条件，故每种光刻版都存在套准标记(1)，套准标记(1)有一定尺寸大小的要求，需要占用芯片的面积。通常将套准标记(1)布局于宽的划片线(3)中或占用主管芯(4)的面积，不能同时使用窄划片线、不占主管芯布局设计，使芯片的利用率降低。

图2示出通常光刻版的套准标记布局于宽的划片线中示意图，宽的划片线指线宽在100um-200um之间，宽的划片线占用面积，使芯片的利用率降低；本实用新型的光刻版，划片线可以设计为50um-80um之间，提高芯片利用率。

图3示出通常光刻版的套准标记布局占用主管芯(4)面积的示意图，占用面积＝(光刻版BLOK面积*标记占用数/光刻版BLOK管芯数)，通常占用的面积在0.5％-8％之间，使芯片的利用率降低；本实用新型的光刻版，不占用主管芯位置，提高芯片利用率。

实用新型内容

本实用新型提供一种光刻版。

1、一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：

A、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)顶部的划片线(3)中，位于划片线(3)的交叉点上，不占用主管芯(4)面积，提高芯片利用率；

B、光刻版BLOK区(0)的顶部具有反处理保护的叠加区(5)，布阵列时不影响主管芯(4)图形；

C、光刻版BLOK区(0)具有反处理保护的标记叠加区(2)，布阵列时与BLOK区(0)顶部的套准标记(1)重叠，保证为下一次套刻保留完整的套准标记；

D、光刻版BLOK区(0)具有的叠加区(5)，满足步进光刻机重叠布阵。

2、如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部窄划片线(3)交叉区。

3、如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)的顶部的叠加区(5)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)底部重叠区。

4、如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)的标记叠加区(2)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)顶部套准标记(1)重叠区。

5、如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：所述的光刻版BLOK区(0)布阵列时，满足步进光刻机重叠步进叠加区(5)。

6、如权利要求1所述的一种步进式光刻机的光刻版，其特征在于：每层光刻版BLOK区(0)都采用增加相同的叠加区(5)。

附图说明

图1为本实用新型一种光刻版BLOK区示意图；

图2为套准标记布局于宽的划片线中的光刻版示意图；

图3为套准标记布局占用主管芯(4)面积的光刻版示意图；

图4为本实用新型第二种光刻版BLOK区示意图。

图5为本实用新型实施具体案例示意图。

图6为采用图5案例布局效果示意图。

具体实施方式

图1示出了本实用新型的一种光刻版BLOK区(0)，下面结合图1详细说明本实用新型的光刻版。

一种光刻版包括：光刻版BLOK区(0)中的套准标记(1)，为光刻机套准提供识别信号的图形，布局于窄的划片线(3)交叉位置；标记叠加区(2)，位于光刻版BLOK区底部标记叠加位置，尺寸比标记长，比标记宽，但宽度能超过划片线(3)宽度，采用反处理保护，即标记叠加区(2)与套准标记(1)使用相反的透光性；叠加区(5)，为光刻版BLOK区(0)的顶部，布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)底部形成叠加的区域，叠加区(5)为不透光区。

图2示出一种套准标记布局于宽划片线中的光刻版示意图，通常宽的划片线指线宽在100um-200um之间，宽的划片线占用面积大，使芯片的利用率降低本；本实用新型的光刻版，划片线可以设计为50um-80um之间，提高芯 片利用率。

图3示出一种将套准标记布局占用主管芯(4)的面积示意图，占用面积＝(光刻版BLOK面积*标记占用数/光刻版BLOK管芯数)，通常占用的面积在0.5％-8％之间，使芯片的利用率降低；本实用新型的光刻版，标记不占用主管芯位置，提高芯片利用率。

图4示出第二种光刻版BLOK(0)示意图，叠加区(5)增加，增加量为具有N*(主管芯宽+划片线宽)，进一步减少套刻标记的干扰信号。