[实用新型]一种中压大电流N通道增强型功率MOS管有效
| 申请号： | 201120001681.5 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN201904342U | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 董超;辛烨;王安顺 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中压大 电流 通道 增强 功率 mos | ||
1.一种中压大电流N通道增强型功率MOS管，其特征在于：包括由漏极金属底层(1)、N型衬底层(2)和N型外延层(3)组成的漏区、在所述漏区上扩散形成的P型基区(4)、通过刻蚀方法开在P型基区(4)中部且其深度大于P型基区(4)深度的栅极沟槽、由填充在所述栅极沟槽内的多晶硅层(5)组成的栅极、覆盖在多晶硅层(5)上的绝缘层(10)以及由布设在P型基区(4)上方且位于所述栅极上部外侧的N+源区(8)和布设在P型基区(4)与绝缘层(10)上方的源极金属顶层(9)组成的源区，所述漏区布设在底部且所述源区布设在顶部，且所述栅区和P型基区(4)布设在所述漏区和源区之间；所述漏极金属底层(1)布设在N型衬底层(2)底部，所述N型外延层(3)布设在N型衬底层(2)上；所述P型基区(4)布设在N型外延层(3)上方，所述栅区与N+源区(8)、绝缘层(10)、P型基区(4)和N型外延层(3)之间均通过栅氧层(7)进行分隔，所述源极金属顶层(9)与所述栅极之间通过绝缘层(10)进行隔离，所述栅区的下部为U字形。
2.按照权利要求1所述的一种中压大电流N通道增强型功率MOS管，其特征在于：所述漏极金属底层(1)的垂直向厚度为1.4μm±0.1μm，N型衬底层(2)的垂直向厚度为152μm～203μm，所述N型外延层(3)的垂直向厚度为4μm～50μm，源极金属顶层(9)的垂直向厚度为4μm±0.5μm。
3.按照权利要求1或2所述的一种中压大电流N通道增强型功率MOS管，其特征在于：所述栅氧层(7)布设在所述栅极沟槽的侧壁上。
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