[实用新型]一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片有效
| 申请号： | 201120004192.5 | 申请日： | 2011-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN201910416U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 马春军 | 申请（专利权）人： | 马春军 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201300 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 芯片 封装 结构 及其 专用 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率芯片的封装结构，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，其特征在于：
还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。
2.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；
所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。
3.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。
4.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材焊接在所述基板的负极。
5.根据权利要求2所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述透明电极材料指导电油墨或纳米银导电胶或涂布型ITO导电颗粒。
6.根据权利要求2所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述树脂薄膜是指PET或PVC薄膜。
7.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于：
所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为铜。
8.一种专用于权利要求1至7中任一权项所述封装结构的芯片，其特征在于：
所述芯片表面上设有正负电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马春军，未经马春军许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120004192.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
