[实用新型]一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片有效
申请号: | 201120004192.5 | 申请日: | 2011-01-09 |
公开(公告)号: | CN201910416U | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 马春军 | 申请(专利权)人: | 马春军 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201300 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 芯片 封装 结构 及其 专用 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种芯片封装结构,尤其涉及一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片。
背景技术
在当前全球能源短缺的忧虑再度提升的背景下,节约能源是我们未来面临的重要问题,LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED是继白炽灯,荧光灯,高压灯后的第四代照明,具有节能,环保,寿命长,体积小等特点,可以广泛应用于各种指示,显示,装饰,背光源,普通照明和城市夜景等领域。
大功率LED封装由于结构和工艺复杂,并直接影响到LED的使用性能和寿命,一直是近年来的研究热点。LED封装的功能主要包括:1、机械保护,提高可靠性;2、加强散热,以降低晶片结温;3、光学控制,提高出光效率,优化光束分布;4、供电管理,包括交流/直流转变,以及电源控制等。传统的LED芯片封装结构分为:(1)横向结构 (2)垂直结构 (3)倒装结构 (4)通孔垂直结构。其中第一种横向封装结构及第二种垂直封装结构的LED芯片与基材的连接主要以打金线连接为主,横向结构是双电极,垂直结构是单电极。打金线的连接方式的缺点是;金线连接容易出现虚焊,在改变温度的情况下器件不是很稳定,金线也造成一部份遮光现象。对于第三种倒装结构,虽然不是打线的,但是焊点面积太小不容易散热。对于第四种通孔垂直结构,是前三种芯片封装结构中最理想的,无须打线,散热佳,但是芯片的工艺复杂,价格高,量产有一定的难度。另外,传统的大功率芯片的封装结构需要在芯片上制作焊接盘,封装过程复杂,封装成本较高。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片,该封装结构将涂布或印刷有透明电极材料的导电连接件覆盖在芯片和导电基材上,无需在芯片上制作电极、焊盘,不但使芯片本身更为轻薄,成本更低,而且使封装更为简单方便。
为了达到上述目的,本实用新型提出了一种大功率芯片的封装结构,包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材,还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。
进一步地,所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜;所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。
进一步地,所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。
进一步地,所述基板为极性基板,所述芯片焊接在所述基板的正极,所述导电基材焊接在所述基板的负极。
进一步地,所述透明电极材料指导电油墨或纳米银导电胶或涂布型ITO (铟锡氧化物半导体透明导电膜)导电颗粒。
进一步地,所述树脂薄膜是指PET或PVC薄膜。
进一步地,所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同,所述导电基材为铜。
本实用新型还提供了一种专用于该封装结构的芯片,所述芯片表面上设有正负电极。
与现有技术相比,由于专用芯片上的电极直接显露在芯片表面,因此无需再在芯片上制作电极以及焊盘,封装时直接将导电连接件覆盖在芯片和导电基材上,具有下列优势:
1、取消了顶部电极,减少了遮光,提高了单芯光通量;
2、电流密度大,可以增加电流;
3、薄膜封装,实现轻薄;
4、无金线连接,增加了器件的稳定性;
5、简化了工艺,降低了成本。
附图说明
通过下面结合附图对其示例性实施例进行的描述,本实用新型上述特征和优点将会变得更加清楚和容易理解。
图1为现有技术的大功率芯片俯视示意图;
图2为本实用新型的大功率芯片的俯视示意图;
图3为本实用新型大功率芯片封装结构示意图。
附图符号说明:
1-基板, 2-芯片, 3-导电基材, 4-透明电极材料, 5-导电连接件,
6-焊盘, 7-电极。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
由图1可以看出,现有技术中大功率芯片包括芯片2、电极7以及焊盘6。而本实用新型的专用芯片的N面顶部如图2所示,可以直接通过导电连接件5与芯片2连接,不需要在芯片顶部设置顶部电极7以及焊盘6,这样在制作工艺上会节约工序,封装也更为方便。
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