[实用新型]一种晶片频率腐蚀及清洗装置无效
申请号: | 201120011949.3 | 申请日: | 2011-01-17 |
公开(公告)号: | CN201990731U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 施斌慧 | 申请(专利权)人: | 江阴市江海光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C30B33/10 |
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地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 频率 腐蚀 清洗 装置 | ||
1.一种晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,所述装置为箱体结构,在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽,所述腐蚀槽位于箱体的一端,在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽,将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开,在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽,通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个,所述至少两个清洗槽的底部相互连通;在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴,在每根所述的传动轴上均装有振动架,在所述振动架上放置有晶片篮;在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。
2.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,所述清洗槽之间的B隔板间可互换,且B隔板的高度各不相同。
3.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,在所述的腐蚀槽和清洗槽的上方设有一个共同的排风装置。
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