[实用新型]一种晶片频率腐蚀及清洗装置无效

专利信息
申请号: 201120011949.3 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN201990731U 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 施斌慧 申请(专利权)人: 江阴市江海光伏科技有限公司
主分类号: C23F1/08 分类号: C23F1/08;C30B33/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214400 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶片 频率 腐蚀 清洗 装置
【权利要求书】:

1.一种晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,所述装置为箱体结构,在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽,所述腐蚀槽位于箱体的一端,在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽,将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开,在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽,通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个,所述至少两个清洗槽的底部相互连通;在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴,在每根所述的传动轴上均装有振动架,在所述振动架上放置有晶片篮;在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。

2.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,所述清洗槽之间的B隔板间可互换,且B隔板的高度各不相同。

3.根据权利要求1所述的晶片频率腐蚀及清洗装置,其特征在于,在所述的腐蚀槽和清洗槽的上方设有一个共同的排风装置。 

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