[实用新型]一种晶片频率腐蚀及清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及腐蚀晶片技术领域，具体是一种晶片腐蚀及清洗装置。

背景技术

现有技术中用于晶片腐蚀的设备是没有自动的腐蚀、清洗装置，是依靠人工完成的。其艺方法包括如下工艺步骤：

1)腐蚀液的配置；

2)来料进行抽测几片，并记录下晶片的频率，进而计算出要腐蚀的大致时间；

3)用手拿着放好晶片的腐蚀篮放到腐蚀液中进行晃动腐蚀；

4)腐蚀到计算时间的一半时，再次计算出要腐蚀的速率以及计算腐蚀时间；

5)将腐蚀好的晶片用热水冲洗干净，倒入放有盐酸稀释液的容器中，用超声波超声30分钟；

6)晶片清洗：热水清洗三次→温水洗三次→电磁炉纯净水煮沸5分钟→酒精脱水→烘干。

人工进行腐蚀，腐蚀的效率低，一人只能操作一台，一台仅能腐蚀1篮/次；腐蚀频率管控需操作人进行人工计算腐蚀速率；腐蚀完后晶片清洗用手工进行清洗，增加人力。

实用新型内容

本实用新型提出一种晶片腐蚀及清洗装置，旨在克服现有技术所存在的上述缺陷，实现加工自动化，减少了因人为因素所造成的产品质量不稳定，从而有效地提高了生产效率，保证了产品质量的一致性。

本实用新型的技术解决方案：一种晶片频率腐蚀及清洗装置，其 特征在于，所述装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽与清洗槽，所述腐蚀槽位于箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有清洗槽，将所述清洗槽与所述腐蚀槽之间用A隔板隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有至少两道B隔板插槽，通过所述B隔板至少将清洗槽分割为两个，所述至少两个清洗槽的底部相互连通；在所述清洗槽和腐蚀槽内各设有一根传动轴，在每根所述的传动轴上均装有振动架，在所述振动架上放置有晶片篮；在所述腐蚀槽的外围设置有放水隔层。

其中，所述清洗槽之间的B隔板间可互换，且B隔板的高度各不相同。

其中，在所述的腐蚀槽和清洗槽的上方设有一个共同的排风装置。

本实用新型的优点：由自动腐蚀晶片代替人工腐蚀晶片，一台机能腐蚀4次，且每人操作2台设备，是原加工产量的8倍左右；腐蚀用计算机档案代替人工进行频率管控；便于自动化，减少人为因素；腐蚀完晶片清洗用自动化装置代替人工进行清洗，腐蚀和清洗能同时进行操作代替了原来不能同时进行的工作，从而减少人力也提高了效率。

附图说明

图1是本实用新型用于晶片腐蚀及清洗装置的结构示意图。

图中：1、腐蚀槽；2、清洗槽；3、A隔板；4、B隔板；5、传动轴；6、振动架；7、晶片篮；8、放水隔层；9、抽风装置。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图所示，本实用新型一种晶片频率腐蚀及清洗装置，该装置为箱体结构，在所述箱体内设有腐蚀槽1与清洗槽2，所述腐蚀槽1位于 箱体的一端，在所述腐蚀槽的一侧设有三道清洗槽2，将所述清洗槽2与所述腐蚀槽1之间用A隔板3隔开，在所述清洗槽的侧壁上设有两道B隔板的插槽，用两块B隔板4将所述清洗槽2分割为三个水箱，由于B隔板4没插到箱底，所以三道清洗槽2的底部相互连通；在所述清洗槽2和腐蚀槽1内各设有一根传动轴5，在每根传动轴5上均装有振动架6，在所述振动架6放置有晶片篮7；在所述腐蚀槽1的外围设置有放水隔层8。所述清洗槽2之间的B隔板4间可互换，且B隔板4的高度各不相同。在所述的腐蚀槽1和清洗槽2的上方设有一个共同的排风装置9。

实施例1

在本实用新型中晶片频率腐蚀方法的工艺步骤：

一、腐蚀液的配置F＞30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH₄HF₂，分子量57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度65+2℃；

16MHz≤F≤30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH₄HF₂，分子量57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度50+2℃；

F＜8MHz时氟化氢铵固体分子式NH₄HF₂，分子量57.04，氟化氢铵∶水(重量比)＝：2∶1，配好后的混合液17L放到腐蚀槽内，温度78±2℃；