[实用新型]一种晶体管有效
| 申请号： | 201120015629.5 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN202487579U | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 何子键;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，将不同形状的晶畴构建为蜂窝结构和带状结构。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，界定的SS面积为4μm×4μm并且均匀地分布在NS周围；SS间距是8μm。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，界定的SS面积为4μm×4μm并且均匀地分布在NS周围，SS间距是8μm，六边形的NS尺寸为15μm、10μm、5μm或者4μm。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，NS是矩形的，其中较长边长度与非晶硅衬底相同，矩形的宽度为8μm、6μm、4μm或者2μm，两个相邻的矩形间距固定为60μm。
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