[实用新型]一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置无效
| 申请号： | 201120016800.4 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN201962414U | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王增荣;李斌;郝俊涛;王飞;黄少华;赖汝萍;黄鲁生;钟贵琪;林增标;林海萍;黄云增;黄斌;林德彰;杨峰;王县 | 申请（专利权）人： | 江西神硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 李炳生 |
| 地址： | 337000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适于 18 英寸 太阳 能级 硅单晶 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置，包括外壳、保温筒、石墨坩埚、石英坩埚、导流筒、加热器，所述保温筒安装在外壳内部，所述保温筒的上端安装有中空的倒圆台形的导流筒，所述石墨坩埚安装在保温筒的中心，该石墨坩埚内部安装有所述石英坩埚，所述加热器位于所述石墨坩埚外围，其特征在于：所述保温筒与所述外壳之间设置中空夹层，所述保温筒的上端和所述外壳的下端均设置气体通口，所述加热器的高度为562mm，直径为582mm。
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