[实用新型]一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及硅单晶生长的热场装置，具体为一种在适于直拉法中18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置。

背景技术

太阳能级直拉硅单晶是高纯材料，对杂质的引入非常敏感，但是，在硅单晶额生长工艺过程中，常常会由于各种原因无意地引入杂质，氧和碳就是就是直拉硅单晶中最主要的无意引入杂质，这些杂质对硅材料和器件的性能有破坏作用，因此引起人们的高度重视，而在直拉法生产硅单晶的过程中，良好的温度梯度也是关键因素之一。

目前，用于直拉生产18寸硅单晶比较通用设备为HDT-100型单晶炉，但是其热场装置由于其各部件的规格以及相对位置不合理，使得装置内的温度纵向梯度不是十分明显，流向不是十分合理的保护气也没有使装置形成很好的密封性，因此需要进一步改进。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置，将其内部各部件规格以及相对位置进行合理调整，使之内部可以形成明显的温度纵向梯度，并且合理改变保护气的流向使装置形成良好的密封性，从而解决上述背景技术中的缺点。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置，包括外壳、保温筒、石墨坩埚、石英坩埚、导流筒、加热器，所述保温筒安装在外壳内部，所述保温筒的上端安装有中空的倒圆台形的导流筒，所述石墨坩埚安装在保温筒的中心，该石墨坩埚内部安装有石英坩埚，所述加热器位于石墨坩埚外围，与传统热场装置的显著区别在于，所述保温筒与所述外壳之间设置中空夹层作为气体通道，所述保温筒的上端和外壳的下端均设置气体通口，所述加热器的高度为562mm，直径为582mm。

本实用新型中，所述加热器的高度较传统HDT-100型单晶炉加热器降低，直径减小，利于装置内形成良好的温度纵向梯度。

本实用新型中，由于在保温筒上部开设了气体通口，使传统装置中保温筒下部排气改变为上部排气，并且让保护气在外壳与保温筒之间的气体通道流通，使得装置内形成良好的密封性能。

由于采用了以上技术方案，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型内部各部件规格以及相对位置进行了合理调整，内部可以形成明显的温度纵向梯度，并且此结构可以合理改变保护气的流向使装置内形成良好的密封性。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见图1，一种适于18英寸太阳能级硅单晶生长的热场装置，包括外壳1、保温筒2、石墨坩埚3、石英坩埚4、导流筒5、加热器6，所述保温筒2安装在外壳1内部，所述保温筒2的上端安装有中空的倒圆台形的导流筒5，所述石墨坩埚3安装在保温筒2的中心，该石墨坩埚3内部安装有石英坩埚4，所述加热器6位于石墨坩埚3外围，与传统热场装置的显著区别在于，所述保温筒2与所述外壳1之间设置中空夹层作为气体通道7，所述保温筒2的上端和外壳1的下端均设置气体通口，所述加热器6的高度为562mm，直径为582mm。

本实施例中，所述加热器6的高度较传统HDT-100型单晶炉加热器降低，直径减小，利于装置内形成良好的温度纵向梯度。

本实施例中，由于在保温筒2上部开设了气体通口，使传统装置中保温筒下部排气改变为上部排气，并且让保护气在外壳1与保温筒2之间的气体通道7流通，使得装置内形成良好的密封性能。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定                                                。