[实用新型]双涡电流单电容非接触式厚度测量装置有效

专利信息
申请号: 201120023438.3 申请日: 2011-01-25
公开(公告)号: CN202008346U 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 卓家轩 申请(专利权)人: 财团法人精密机械研究发展中心
主分类号: G01B7/06 分类号: G01B7/06;G01B7/02
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电流 电容 接触 厚度 测量 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种测量装置,特别是涉及一种双涡电流单电容非接触式厚度测量装置。

背景技术

参阅图1,现有的厚度测量装置1是用以测量一个不导电的待测物11的厚度,该测量装置1包括一个用以承载该待测物11的导电基板12、一个位于该待测物11上方的电容式位移感测器13,及一个位于该待测物11上方且间隔该电容式位移感测器13一段距离L的涡电流式位移感测器14。

该涡电流式位移感测器14通过电磁感应的原理测量出该涡电流式位移感测器14底面至该导电基板12顶面的一段第一距离A1,该电容式位移感测器13通过测量电场的方式测量出该电容式位移感测器13底面至该待测物11顶面的一段第二距离A2,由于该涡电流式位移感测器14及该电容式位移感测器13的底面为同平面,且该待测物11的顶面、底面及该导电基板12的顶面皆为平面,因此该第一距离A1作为测量厚度时相对应该待测物11底面的距离,而该第二距离A2作为测量厚度时相对应该待测物11顶面的距离,因此通过该第一距离A1与该第二距离A2的差值所产生的第三距离A3,就为该待测物11的厚度。

然而,参阅图2,当该待测物11及该导电基板12产生变形时,由于该涡电流式位移感测器14及该电容式位移感测器13间隔该距离L,因此分别所测量到的第一距离B 1及第二距离B2并不能充分代表该待测物11于测量厚度时的底面及顶面位置,而会有因变形所产生的误差,因此使得由该第一距离B1及该第二距离B2的差值所产生的第三距离B3,与实际该待测物12的厚度不同,一般来说,误差范围为数十微米。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种达到提高准确度的有益效果的双涡电流单电容非接触式厚度测量装置。

本实用新型双涡电流单电容非接触式厚度测量装置,用以测量一个待测物的厚度,该测量装置包含一个导电座、一个第一涡电流感测器、一个第二涡电流感测器,及一个电容式感测器。

该导电座位于该待测物下方以承载该待测物,该第一涡电流感测器设置于该待测物上方以测量一段第一距离,该第一距离为该第一涡电流感测器朝下相对该导电座顶面的距离,该第二涡电流感测器间隔该第一涡电流感测器设置于该待测物上方并用以测量一段第二距离,该第二距离为该第二涡电流感测器朝下相对该导电座顶面的距离,该电容式感测器设置于该第一涡电流感测器及该第二涡电流感测器之间并用以测量一段第三距离,该第三距离为该电容式感测器朝下相对该待测物顶面的距离。

较佳地,该测量装置还包含一个分别电连接该第一涡电流感测器、该第二涡电流感测器及该电容式感测器的计算模组,该计算模组于接收该第一距离、该第二距离及该第三距离后计算一个估测厚度值。

较佳地,该第一涡电流感测器、该第二涡电流感测器及该电容式感测器的底面为同一平面。

较佳地,该测量装置还包含一个连接并带动该第一涡电流感测器、该第二涡电流感测器及该电容式感测器沿一个轴向移动的滑座,及一个供该滑座可移动地连接的滑轨组。

较佳地,该第一涡电流感测器及该第二涡电流感测器分别与该电容式感测器的距离相等。

本实用新型的有益效果在于:通过测量该第一距离、该第二距离及该第三距离而精准的计算出该待测物的厚度。

附图说明

图1是现有的一个厚度测量装置于测量一个平整待测物的示意图;

图2是该现有的厚度测量装置于测量一个变形的待测物的示意图;

图3是本实用新型双涡电流单电容非接触式厚度测量装置的一个较佳实施例于测量一个平整的待测物的示意图;

图4是该较佳实施例的装置方块图;

图5是该较佳实施例于测量一个变形的待测物的示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明:

参阅图3、4、5,本实用新型双涡电流单电容非接触式厚度测量装置的较佳实施例用以测量一个待测物2的厚度,该测量装置包含一个导电座3、一个第一涡电流感测器4、一个第二涡电流感测器5、一个电容式感测器6、一个计算模组7、一个滑座81及一个滑轨组82。

该导电座3位于该待测物2下方以承载该待测物2。在本实施例中,该待测物2为塑胶材料制成,但是也能够由其他非导电的材料制成,该导电座3为金属材料制成。

该第一涡电流感测器4设置于该待测物2上方以测量一段第一距离C1,该第一距离C1为该第一涡电流感测器4的底面朝下相对该导电座3的顶面的距离。

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