[实用新型]一种用于驱动电子节能灯和电子镇流器的功率IC有效

专利信息
申请号: 201120037370.4 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN202059656U 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 何飞;蒋正勇;马卫清;计建新;刘丽萍;张巧丽 申请(专利权)人: 无锡华润华晶微电子有限公司
主分类号: H05B41/14 分类号: H05B41/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;高为
地址: 214028 江苏省无锡市国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 驱动 电子 节能灯 电子镇流器 功率 ic
【权利要求书】:

1.一种功率IC,用于驱动电子节能灯和电子镇流器,其特征在于,所述功率IC包括集成在一起的第一功率二极管和第一NPN型功率三极管;

其中,所述第一功率二极管的阴极串联连接于所述第一NPN型功率三极管的集电极,所述第一NPN型功率三极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器,所述第一功率二极管用于在启动所述电子节能灯和电子镇流器后加速释放启动电容的电荷。

2.如权利要求1所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC还包括与所述第一功率二极管、第一NPN型功率三极管集成在一起的第二功率二极管;

其中,所述第二功率二极管的阳极连接于所述第一NPN型功率三极管的发射极,所述第二功率二极管的阴极连接于所述第一NPN型功率三极管的集电极。

3.如权利要求1所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC包括:

N型衬底;

第一P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环;

第二P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的基极;

第二N型区域,其形成于所述第二P型区域上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的发射极;以及

第三P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一功率二极管的阳极。

4.如权利要求2所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC包括:

N型衬底;

第一P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环;

第二P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的基极;

第二N型区域,其形成于所述第二P型区域上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的发射极;

第三P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一功率二极管的阳极;以及

第四P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第二功率二极管的阳极;

其中,所述第四P型区域与所述第二N型区域通过引出电极被连接在一起。

5.如权利要求3或4所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC还包括:

形成于所述N型衬底上的第三N型区域,所述第三N型区域用于实现所述第一功率二极管与所述第一NPN型功率三极管之间的电场隔离。

6.如权利要求3或4所述的功率IC,其特征在于,所述N型衬底包括形成于所述N型衬底背面的N+阱、以及形成于所述N+阱上的N-阱。

7.如权利要求5所述的功率IC,其特征在于,在所述第三N型区域与所述第二P型区域之间、以及在所述第三N型区域与所述第三P型区域之间设置所述分压环。

8.如权利要求1或2所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC为四端器件;其中,第一端从所述第一功率二极管的阳极引出,第二端从所述第一NPN型功率三极管的发射极引出,第三端从所述第一NPN型功率三极管的基极引出,第四端从所述第一NPN型功率三极管的集电极引出。

9.如权利要求2所述的功率IC,其特征在于,所述功率IC还包括形成于所述N型衬底上并用来限制所述第一NPN型功率三极管的电场势垒扩展的截止环。

10.如权利要求1或2所述的功率IC,其特征在于,所述第一NPN型功率三极管的器件参数范围为:500V≤VCBO≤800V,150V≤VCEO≤600V,0.1A≤IC≤20A。

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