[实用新型]一种用于驱动电子节能灯和电子镇流器的功率IC有效
申请号: | 201120037370.4 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN202059656U | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 何飞;蒋正勇;马卫清;计建新;刘丽萍;张巧丽 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H05B41/14 | 分类号: | H05B41/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;高为 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 驱动 电子 节能灯 电子镇流器 功率 ic | ||
技术领域
本实用新型属于功率IC(Integrated Circuit,集成电路)技术领域,涉及用于驱动电子节能灯和电子镇流器的功率IC。
背景技术
目前,电子节能灯、电子镇流器广泛用于照明,在电子节能灯和电子镇流器中,需要使用专用的驱动单元来驱动灯管。
图1所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构实施例示意图。该线路主要包括三部分:(a)整流电路20,(b)电子节能灯和电子镇流器的灯管和电容30,以及(c)用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块10。电子节能灯装置运行时包括启动过程和正常运行驱动过程,驱动电路模块10可以同时实现以上启动过程和正常运行驱动。
其中,驱动电路模块10一般地至少包括二个高压功率器件TR1、TR2和一个触发二极管DB(Trigger Diode)。TR1和TR2的集电极和发射极之间均反向并联了一个功率二极管,分别为D2、D3,D2和D3起阻尼作用。另外,驱动电路模块10还包括电阻R3、用于串联分压的电阻R1和R2,以及与R2并联的功率二极管D1。其中,DB用于在电子节能灯启动瞬间(即启动过程)提供TR2的开启电流,并且其在电子节能灯正常照明工作时关闭;TR1和TR2主要用于电子节能灯正常照明工作时(即正常运行驱动过程)交替导通,提供给电子节能灯和镇流器驱动电流。在电子节能灯启动之前,电流可以流经R1、R2和R3对启动电容C1进行充电,在启动电容C1充电到一定电压时,可以因DB触发而导通,进而使TR2工作于放大区,提供较大的驱动电流来启动电子节能灯和电子镇流器模块30。与此同时,启动电容C1的电荷也可以通过R3、D1(而不是流经R2)和TR2得以加速释放。
目前,通常是将图1所示的驱动电路模块10以及外围器件(例如电阻、电感等)在一个PCB(印刷电路板)上实现,各分立元件(例如TR1、TR2、DB、功率二极管、电阻等)通过人工的形式插入固定在PCB板上,装配制造难,并且电路形式复杂、体积大、成本高,尤其难以适用紧凑型电子节能照明装置的要求。
图2所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构的又一实施例示意图。相比于图1所示实施例,其主要差异在于采用IC芯片90替代图1中所示的驱动电路模块10。但是,IC芯片90由于包含多个高压器件,通常需要采用高压(例如600V以上)的SOI(SiliconOn Insulator,绝缘衬底上硅)工艺,该工艺实现困难,成本高,因此,IC芯片90价格昂贵,市场认可度相对较低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,减小电子节能灯装置的线路板体积并降低其制造成本。
为解决以上技术问题,本实用新型提供一种功率IC,用于驱动电子节能灯和电子镇流器,所述功率IC包括集成在一起的第一功率二极管和第一NPN型功率三极管;
其中,所述第一功率二极管的阴极串联连接于所述第一NPN型功率三极管的集电极,所述第一NPN型功率三极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器,所述第一功率二极管用于在启动所述电子节能灯和电子镇流器后加速释放启动电容的电荷。
具体地,所述功率IC包括:
N型衬底;
第一P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环;
第二P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的基极;
第二N型区域,其形成于所述第二P型区域上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的发射极;以及
第三P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一功率二极管的阳极。
按照本实用新型提供的功率IC的一实施例,所述功率IC还包括与所述第一功率二极管、第一NPN型功率三极管集成在一起的第二功率二极管;
其中,所述第二功率二极管的阳极连接于所述第一NPN型功率三极管的发射极,所述第二功率二极管的阴极连接于所述第一NPN型功率三极管的集电极。
具体地,所述功率IC包括:
N型衬底;
第一P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环;
第二P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的基极;
第二N型区域,其形成于所述第二P型区域上并用于形成所述第一NPN型功率三极管的发射极;
第三P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第一功率二极管的阳极;以及
第四P型区域,其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第二功率二极管的阳极;
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