[实用新型]一种功率缓冲二极管有效

专利信息
申请号: 201120044706.X 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN202134532U 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 薛列龙 申请(专利权)人: 如皋市大昌电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 赵绍增
地址: 226500 江苏省南通市如*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 缓冲 二极管
【权利要求书】:

1.一种功率缓冲二极管,主要由一对引线与芯片通过焊片焊接后,整体封装,外露引线脚构成,其特征在于:所述芯片为电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片两种不同功能的芯片反电极叠加构成。

2.根据权利要求1所述的一种功率缓冲二极管,其特征在于:所述电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片两种不同功能的芯片反电极叠加构成的芯片结构为:金属焊片在焊接时浸润芯片最外层的金属层,电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片极性相反地进行串接。

3.根据权利要求1所述的一种功率缓冲二极管,其特征在于:所述电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片的串接形式为:电压箝位二极管芯片的N+层与快恢复二极管芯片的N+层之上的金属层通过焊片连接,电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片另一极的P+层上的表面金属层通过焊片分别与两端的引线焊接在一起,这样四者通过金属焊片焊接串接固定成一个整体。

4.根据权利要求1所述的一种功率缓冲二极管,其特征在于:所述电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片的串接形式为:电压箝位二极管芯片的P+与快恢复二极管芯片的P+层上的金属层通过焊片连接,则电压箝位二极管芯片与快恢复二极管芯片另一极的N+层上的表面金属层通过焊片分别与两端的引线焊接在一起。

5.根据权利要求1所述的一种功率缓冲二极管,其特征在于:所述快恢复二极管芯片为超快恢复芯片或高效二极管芯片。

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