[实用新型]发光装置无效
申请号: | 201120074617.X | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN202120905U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 宋盈彻;程广华 | 申请(专利权)人: | 点量科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包含有:
一承载基板;
一第一层结构,其内部包含有萤光粉,且该第一层结构具有一第一折射率;
一或多个发光二极管元件,位于该承载基板与该第一层结构之间;
一第二层结构,位于该承载基板与该第一层结构之间,且该第二层结构具有一第二折射率;以及
一第三层结构,位于该承载基板与该第二层结构之间,并包覆该一或多个发光二极管元件,该第三层结构具有一第三折射率;
其中该第三折射率大于或等于该第二折射率,且该第二折射率大于或等于该第一折射率。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第三层结构与该第二层结构的相接面为平面。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该第三层结构的上表面积与该第二层结构的下表面积相同。
4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,该承载基板上包含有一或多个外凸结构,以形成一容置区,且该一或多个发光二极管元件与该第三层结构皆位于该容置区内。
5.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该承载基板上包含有一或多个外凸结构,以形成一容置区,且该一或多个发光二极管元件与该第三层结构皆位于该容置区内。
6.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一层结构的上表面及/或下表面具有复数个微结构。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第二层结构是在该承载基板与该第一层结构接合后,注入该第三层结构与该第一层结构之间的空间内。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置,其特征在于,该一或多个发光二极管元件为复数个发光二极管元件,且该第一层结构的最大厚度大于0.1公分。
9.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置,其特征在于,该一或多个发光二极管元件为一或多个具有一第一出光色的发光二极管元件,以及一或多个具有一第二出光色的发光二极管元件。
10.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置,其特征在于,该第一层结构具有一或多个凸面。
11.如权利要求10所述的发光装置,其特征在于,该一或多个发光二极管元件为复数个发光二极管元件,且每一凸面下方的正投影范围内包含有一个或多个发光二极管元件。
12.如权利要求10所述的发光装置,其特征在于,该一或多个发光二极管元件为一或多个具有一第一出光色的发光二极管元件,以及一或多个具有一第二出光色的发光二极管元件。
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