[实用新型]晶圆喷洗干燥装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种晶圆喷洗干燥装置。

背景技术

随着半导体产业的迅速发展，集成电路的制造以越来越小的线宽来加强集成电路功能、且降低单位使用的成本。然而，线宽的微小化使得微粒与集成电路交互作用引起的缺陷更加明显，微粒污染是超大规模集成电路良率不易提升的主要问题，晶圆的表面微粒去除技术为当前重要课题。

晶圆制造工艺的每一个步骤，包括刻蚀、氧化、沉积、去光阻、以及化学机械研磨，都是造成晶圆表面污染的来源，因而需要反复的清洗。晶圆清洗一般分为湿式法或干式法。湿式法是利用溶剂、碱性溶液、酸性溶液、接口活性剂，混合纯水进行洗涤、氧化、浸蚀、及溶解等清洗方式；干式法则是利用高能量(热能、电能、放射能)产生化学反应进行表面清洁。

例如在研磨工艺过程后，晶圆上会残留泥浆中所含的碱金属离子，如钾及钠离子，以及过渡金属离子，如镍、铁、铜、锌等。这些金属离子除吸附在晶圆表面外，也可能因为研磨的应力(即晶面表面损伤)而扩散至晶圆的介质层(如氧化硅层)内。如前所述，以碱性(如氨水)水溶液清洗去除尘粒污染，会造成上述金属离子产生氢氧化物沉积，故在氨水清洗后伴随着稀释酸性水溶液清洗，借助轻微蚀刻该氧化硅层的表面，以达到有效去除前述金属离子的污染；然而，铝合金及铜金属等金属导线极易在酸性及碱性水溶液中腐蚀，以及研磨研浆的残留干燥后形成键结力极强的氧桥基键结；因此，晶圆清洗工艺过程需要大量去离子水清洗、浸润，清洗晶圆之后需要将晶圆甩干，以去除晶圆表面的去离子水，使晶圆干燥。

一般的，通过晶圆喷洗干燥装置(spin rinse dry，SRD)对晶圆进行清洗干燥。具体请参考图1，其为现有的晶圆喷洗干燥装置进行晶圆喷洗时的结构示意图。如图1所示，晶圆清洗装置包括喷洗腔室11、清洗液喷头12、固定挡板13、活动挡板14，所述清洗液喷头12与所述固定挡板13分别固定在所述喷洗腔室11的内壁上，所述活动挡板14与所述喷洗腔室11活动连接，所述活动挡板14与所述固定挡板13均设置于所述清洗液喷头12的上方，所述固定挡板13与所述活动挡板14位于所述喷洗腔室11不同的高度并且共同遮挡所述喷洗腔室11的开口。

晶圆15设置在所述活动挡板14的下方，在利用晶圆清洗装置对晶圆15的表面进行清洗时，清洗液喷头12喷洒去离子水，以对晶圆15的表面进行清洗，此时晶圆15设置在旋转平台16上而保持旋转，去离子水可以通过所述旋转平台26喷洒在晶圆25表面，而所述活动挡板14与所述固定挡板13挡住晶圆15旋转时甩出的去离子水，因此，在活动挡板14以及固定挡板13的表面，即靠近晶圆15的一面会有去离子水残留。

晶圆15清洗完毕后，利用设置在所述喷洗腔室11外壁的灯(图中未示出)，对晶圆15表面进行烘干。在烘干的过程中，残留在活动挡板14表面的去离子水可能会滴落到位于活动挡板14下方的晶圆15的表面，不仅污染了晶圆15表面而且延长了晶圆15烘干的时间。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆喷洗干燥装置，以解决对晶圆表面进行烘干时，去离子水滴落到晶圆表面对其造成污染以及延长晶圆烘干时间的问题。

为解决上述问题，本实用新型提出了一种晶圆喷洗干燥装置，所述晶圆喷洗干燥装置包括喷洗腔室、清洗液喷头、固定挡板、第一活动挡板，所述清洗液喷头与所述固定挡板分别固定在所述喷洗腔室的内壁上，所述第一活动挡板与所述喷洗腔室活动连接，所述第一活动挡板与所述固定挡板均设置于所述清洗液喷头的上方，所述固定挡板与所述第一活动挡板位于所述喷洗腔室不同的高度并且共同遮挡所述喷洗腔室的开口，所述晶圆喷洗干燥装置还包括第二活动挡板，所述第二活动挡板位于所述第一活动挡板的上方并与所述喷洗腔室活动连接，所述第二活动挡板与所述固定挡板共同遮挡所述喷洗腔室的开口。

优选地，所述固定挡板通过螺栓固定在所述喷洗腔室的内壁上。

优选地，所述第一活动挡板通过连杆与所述喷洗腔室活动连接。

优选地，所述第二活动挡板通过汽缸杆与所述喷洗腔室活动连接。

优选地，所述固定挡板、所述第一活动挡板以及第二活动挡板均为弧形板。

优选地，所述晶圆喷洗干燥装置还包括灯，所述灯设置在所述喷洗腔室的外壁。

优选地，所述喷头的数量为一个。

优选地，所述喷头的数量为两个以上。

优选地，从所述清洗液喷头喷出的清洗液为去离子水。