[实用新型]一种开关电路无效
| 申请号： | 201120098617.3 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN202043093U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王培胜;缪袁泉;焦永强;戚张富 | 申请（专利权）人： | 上海达华测绘有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201208 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 开关电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种开关电路，它包括一PMOSFET和一NMOSFET，其特征在于：所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端，且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极，所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接；所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点，同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。
2.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：所述的PMOSFET为P沟道增强型PMOSFET。
3.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：所述的NMOSFE为N沟道增强型NMOSFET。
4.如权利要求1或2或3所述的开关电路，其特征在于：所述的第一电阻、第二电阻、第四电阻的阻值分别为47K欧姆，所述的第三电阻的阻值为330欧姆。
5.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于：所述的电压输入端输入的电压为9V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海达华测绘有限公司，未经上海达华测绘有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120098617.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种M-BUS主站接收电路
- 下一篇：一种多制式系统共用DPD反馈通路
