[实用新型]一种开关电路无效
申请号: | 201120098617.3 | 申请日: | 2011-04-07 |
公开(公告)号: | CN202043093U | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 王培胜;缪袁泉;焦永强;戚张富 | 申请(专利权)人: | 上海达华测绘有限公司 |
主分类号: | H03K19/0944 | 分类号: | H03K19/0944 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201208 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电路,特别是涉及一种开关电路。
背景技术
由于开关电路可以控制电源的接入和断开,电源开关电路已经广泛地应用到很多领域,例如通信、雷达、计算机、自动控制等等。这些开关电路很多时候被应用于保护半导体设备免受过热状态和过量电流的伤害等。模拟开关电路是开关电路的一种,它可以转换模拟信号或数字信号,且能使模拟信号通过或阻断的电路,其在很多技术领域中得到了广泛的应用。
模拟开关的理想状态是在接通时电阻为零,模拟信号通过它后不会产生任何损失;在断开时电阻应为无穷大,阻止模拟信号通过,不产生任何泄漏;并且,模拟开关的开启和关闭动作应瞬间完成,且可以根据需要转换速度。这种特性应与模拟信号的幅度、频率、传送方向以及环境温度无关,足以保证在各种环境下转换各类模拟信号。但是,现有技术中的很多开关电路,会产生静态的功率损耗,严重影响了开关电路的工作性能。
实用新型内容
鉴于以上缺陷和不足,本实用新型的目的在于提供一种开关电路,它能够最大限度地控制静态电流,且结构简单,便于操作,安全省电。
本实用新型的开关电路,它包括一PMOSFET和一NMOSFET,其中,所述PMOSFET的栅极通过一第一电阻分别连接到其源极和一电压输入端,且通过第二电阻连接到所述NMOSFET的漏极,所述PMOSFET的漏极与一电压输出端相连接;所述NMOSFET的栅极通过一第三电阻连接到一负载节点,同时通过一第四电阻与其源极相连接且接地。
上述的开关电路,其中,所述的PMOSFET为P沟道增强型PMOSFET。
上述的开关电路,其中,所述的NMOSFET为N沟道增强型NMOSFET。
上述的开关电路,其中,所述的第一电阻、第二电阻、第四电阻的阻值分别为47K欧姆,所述的第三电阻的阻值为330欧姆。
上述的开关电路,其中,所述的电压输入端输入的电压为9V。
采用本实用新型的开关电路具有结构简单,便于操作等优点,它能够最大限度地控制静态电流,安全节能。
附图说明
图1为本实用新型的开关电路的电路图。
具体实施方式
下面结合说明书附图来对本实用新型的开关电路做进一步详细的说明。
图1示出了本实用新型的开关电路的电路图。本实用新型的开关电路,它包括一PMOSFET M1和一NMOSFET M2,其中,PMOSFET M1和一NMOSFET M2分别为P沟道增强型PMOSFET和N沟道增强型NMOSFET;所述PMOSFET M1的栅极通过一第一电阻R1分别连接到其源极和一电压输入端1,且通过第二电阻R2连接到所述NMOSFET M2的漏极,所述PMOSFET M1的漏极与一电压输出端2相连接;所述NMOSFET M2的栅极通过一第三电阻R3连接到一负载节点3,同时通过一第四电阻R4与其源极相连接且接地。其中,本是实例中的第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3皆为47K欧姆,第三电阻R3为330欧姆,所述的输入端输入的电压为9V。
采用本实用新型的开关电路,当输入电压从输入端输入后,电压输出端就会输出一相同的电压,不会产生失真;同时,在没有信号输入时,可以最大限度地控制静态电流,减少电能的损耗,维持开关电路的良好性能,提高了其工作的可靠性;并且,其还具有结构简单,便于操作等优点。
应当指出的是,对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本实用新型的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本实用新型的意图和范围内。
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