[实用新型]超高方阻金属化膜无效
申请号: | 201120100385.0 | 申请日: | 2011-04-07 |
公开(公告)号: | CN202025648U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 朱利平 | 申请(专利权)人: | 安徽湖滨电子科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/015 | 分类号: | H01G4/015;H01G4/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超高 金属化 | ||
1.一种超高方阻金属化膜,包括基材,基材向上设置金属镀层,其特征在于:所述的金属镀层包括设置在基材上表面的铝层以及蒸镀在铝层上表面的锌层,所述的锌层沿基材的宽度方向由两侧向中心逐渐加厚。
2.根据权利要求1所述的超高方阻金属化膜,其特征在于:所述的金属镀层沿基材的宽度方向由中心向两侧依次分为加厚区、方阻渐变区和高方阻区,所述的金属镀层在方阻渐变区的厚度由两侧的高方阻区向中间的加厚区逐渐加厚。
3.根据权利要求1所述的超高方阻金属化膜,其特征在于:所述的基材为聚合物薄膜,其厚度为0.5μm~20μm。
4.根据权利要求2所述的超高方阻金属化膜,其特征在于:所述加厚区的金属镀层为铝层和锌层,所述方阻渐变区的金属镀层为铝层和锌层,所述高方阻区的金属镀层为铝层。
5.根据权利要求2或3所述的超高方阻金属化膜,其特征在于:所述加厚区的方阻为6MΩ/□,所述方阻渐变区的方阻为10~20MΩ/□,所述高方阻区的方阻为50MΩ/□。
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