[实用新型]TFT基板、显示装置无效
申请号: | 201120114454.3 | 申请日: | 2011-04-18 |
公开(公告)号: | CN202084546U | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 毛剑宏;唐德明 | 申请(专利权)人: | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 基板 显示装置 | ||
1.一种TFT基板,包括基底,位于基底上的TFT开关;所述TFT开关包括:
栅极,源区、漏区,用于电导通源区和漏区的导电沟道,位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层,与所述源区电连接的源电极,与所述漏区电连接的漏电极,电容,所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层;其特征在于,
所述第一极板与所述栅极位于同一层;
所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层,所述第二极板与源电极或漏电极电连接。
2.如权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述TFT开关还包括钝化层,所述钝化层覆盖所述TFT开关的表面。
3.如权利要求1~2任一项所述的TFT基板,其特征在于,所述导电沟道为低掺杂硅层,所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层,所述高掺杂硅层具有开口,开口两侧分别为源区和漏区,所述开口暴露出所述低掺杂硅层。
4.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~3任一项所述的TFT基板。
5.如权利要求4所述的显示装置,还包括固定光栅和MEMS光阀;所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间;所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的