[实用新型]TFT基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置领域，特别涉及TFT基板、显示装置。

背景技术

近年来，随着信息通讯领域的迅速发展，对各种类型的显示设备的需求越来越大。目前主流的显示装置主要有：阴极射线管显示器(CRT)，液晶显示器(LCD)，等离子体显示器(PDP)，电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)等。由于液晶显示装置具有：轻、薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等。

液晶显示装置中，使用的背光源为白光，而且只有偏振光才可以通过液晶层，这将会损失50％的光，使光的利用率仅有50％，当光通过彩色滤光板上，光的效率最多只有33％，因此液晶显示装置中光的利用率比较低。此外，液晶显示装置还具有其他方面的缺陷：例如视角范围小，结构复杂、成本高等。

在液晶显示装置中TFT开关使用最为普遍。现有技术中，TFT开关包括：基底，位于基底上的栅极，位于栅极上的栅介质层，位于栅介质层上的导电沟道，源区、漏区，导电沟道位于源区、漏区和栅介质层之间，还包括电容，其中，电容包括上下透明电极(ITO膜)。

然而，以上所述的TFT开关和显示装置的兼容性不好。

现有技术中有许多关于TFT基板的专利文献，例如申请号为“200680052263.0”的中国专利申请中公开的“TFT基板及TFT基板的制造方法”，然而均没有解决以上所述的技术问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是现有技术的形成TFT开关的方法复杂。

为解决上述问题，本实用新型提供一种TFT基板，包括基底，位于基底上的TFT开关；所述TFT开关包括：

栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容，所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；

所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；

所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。

可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。

可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

可选的，所述TFT开关还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT开关的表面。

可选的，所述钝化层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任意组合。

可选的，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。

本实用新型还提供一种显示装置，包括以上所述的TFT基板。

可选的，还包括固定光栅和MEMS光阀；所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间；所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本技术方案的TFT基板，其电容的第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层组成了电容，由于第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料。在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，而且第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极为透光率小于50％导电材料，优选为金属，这样TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。

附图说明

图1为本实用新型具体实施方式的TFT基板的形成方法的流程图；

图2a、图3a、图4a为形成TFT基板的平面示意图；

图2b、图3b、图4b为图2a、图3a、图4a相应的沿c-c′的剖面结构示意图；