[实用新型]半导体封装模具的改进有效

专利信息
申请号: 201120116387.9 申请日: 2011-04-20
公开(公告)号: CN202111067U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 方海军 申请(专利权)人: 海太半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;B29C33/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 模具 改进
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域,具体是一种半导体封装模具的改进。 

背景技术

随着半导体封装技术水平的不断提高,封装元器件向“轻、薄、短、小”的方向发展,半导体封装成型工程中的模具作为核心部件对产品的合格率有直接的影响,封装完全与否对产品的自身性能也起到至关重要的作用。 

半导体封装模具一般包括上模1和下模3,在下模3上设有下模槽道4(如图1所示),封装时,封装材料5(如树脂)进入并充满下模槽道4,然后冷却,实现对产品的封装。这种结构在实际应用中存在的缺陷是:由于封装材料5自身的材料力学特性,容易出现不完全封装的不合格品,即封装材料5的边沿部分容易出现小缺口6(如图2所示),从而导致封装产品的合格率低下。 

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足,对现有的半导体封装模具的结构进行了合理改进,大大提高了封装产品的合格率,改善了封装产品的性能。 

按照本实用新型提供的技术方案:半导体封装模具的改进,包括上模和下模,在下模上开设有下模槽道,下模槽道正对基板上的窗口,其特征在于:所述下模上的下模槽道两侧开设有与下模槽道平行的左排气凹槽和右排气凹槽,左排气凹槽和右排气凹槽分别通过缺槽与下模槽道相连通。 

作为本实用新型的进一步改进,所述左排气凹槽和右排气凹槽的深度为3~5μm。 

作为本实用新型的进一步改进,所述左排气凹槽和右排气凹槽的深度为5μm。 

作为本实用新型的进一步改进,所述左排气凹槽和右排气凹槽的横断面为三角形。 

本实用新型与现有技术相比,优点在于:通过对现有的半导体封装模具的结构进行合理改进,即在下模槽道的两侧开设与其相通的左排气凹槽和右排气凹槽,大大加强了封装材料的流动性,提高了封装产品的合格率,因不完全封装的不合格率相比之前减少80%以上,改善了封装产品的性能。 

附图说明

图1为现有半导体封装模具的下模槽道部分的局部剖视图。 

图2为现有半导体封装模具中封装成型后的结构剖视图。 

图3为本实用新型的下模槽道部分的局部剖视图。 

图4为本实用新型中封装成型后的结构剖视图。 

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。 

如图3、图4所示,本实用新型涉及半导体封装模具的改进。所述半导体封装模具包括上模1和下模3,上模1和下模3之间是待封装的基板2,在下模3上开设有下模槽道4,下模槽道4是封装材料5的流动通道,下模槽道4正对基板2上的窗口2a;本实用新型的改进点是在下模3上的下模槽道4两侧开设有与下模槽道4平行的左排气凹槽7和右排气凹槽8,左排气凹槽7和右排气凹槽8分别通过缺槽9与下模槽道4相连通。通过设置左排气凹槽7和右排气凹槽8,增加了封装模具的排气性,封装材料5的流动性得以大大加强,材料流动更加充分,减少了不完全填充的发生,提高了封装产品的合格率,改善了封装产品的性能。 

如图3所示,本实用新型中,所述左排气凹槽7和右排气凹槽8的深度为3~5μm,优选为5μm。所述左排气凹槽7和右排气凹槽8的横断面为三角形。 

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