[实用新型]一种高功率脉冲半导体激光器模组无效
| 申请号： | 201120122361.5 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN202004317U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 房玉锁;李沛旭;王海卫;夏伟;王娜 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 脉冲 半导体激光器 模组 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率脉冲半导体激光器模组，包括上下串联在一起的各个单模组；其特征在于：每个单模组包括热沉、绝缘片、电极片和半导体激光器芯片巴条，热沉作为正极，半导体激光器芯片巴条的p面朝下烧结在热沉的一侧边缘，并与热沉平齐；电极片作为负极安装在热沉上，电极片与热沉之间设有绝缘片，电极片通过焊线与半导体激光器芯片巴条的负极相连，电极片、绝缘片和热沉上均设有位置对应的固定孔；下一个单模组的电极片上的焊线与上一个单模组的热沉相连。
2.根据权利要求1所述的高功率脉冲半导体激光器模组，其特征在于：所述单模组的电极片上设有台阶，在电极片的台阶处焊线。
3.根据权利要求1所述的高功率脉冲半导体激光器模组，其特征在于：所述单模组的各半导体激光器芯片巴条并联连接。
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