[实用新型]真空炉保温系统防氧化处理结构有效
申请号: | 201120126400.9 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN202094095U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 韩伶俐 | 申请(专利权)人: | 石金精密科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;F27D1/18;F16L59/00 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空炉 保温 系统 氧化 处理 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及热处理技术领域,尤其涉及一种半导体热处理用的真空炉保温系统防氧化处理结构。
背景技术
热处理真空炉热场内通常设有加热器及保温层等,保温层起隔热作用,以保护真空炉热场的热量不易散失,并保护真空炉炉体不被高温融化。
现有的热处理真空炉在加热过程中,炉内温度高达900摄氏度,在开炉时,炉内温度也将近200摄氏度,因此,开炉时,保温层在高温下易被氧化,不仅严重影响真空炉热场的保温效果,降低了热场使用寿命,而且需要频繁的更换保温材料,增加了成本,影响了生产。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种真空炉保温系统防氧化处理结构,旨在提高真空炉热场内的保温效果及延长热场使用寿命。
为了达到上述目的,本实用新型提出一种真空炉保温系统防氧化处理结构,包括位于真空炉内的热场箱,所述热场箱包括箱体及箱盖,所述箱体与箱盖均为保温碳毡材料,箱体的一侧开口,用于与箱盖扣合;所述箱体的开口边缘包裹有用于防氧化的碳碳复合材料层。
优选地,所述碳碳复合材料层横截面为U型。
优选地,所述碳碳复合材料层通过钼螺丝与箱体固定连接。
优选地,所述箱体的内表面喷涂有耐高温涂料层。
优选地,所述箱体的开口边缘喷涂有耐高温涂料层,所述开口边缘的耐高温涂料层包裹于所述碳碳复合材料层内。
优选地,所述箱盖表面喷涂有耐高温涂料层。
优选地,所述箱体的侧壁和/或顶部设有用于观察及通风通气的风窗。
优选地,所述风窗的窗口边缘喷涂有耐高温涂料层。
优选地,所述风窗的窗口边缘的耐高温涂料层外包裹有碳碳复合材料层,该碳碳复合材料层通过钼螺丝与箱体固定连接。
优选地,所述真空炉包括炉盖,所述箱盖固定在所述真空炉的炉盖上。
本实用新型提出的一种真空炉保温系统防氧化处理结构,通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料,并在箱体出口的边缘和风窗处除了喷涂耐高温涂料外,还包裹一层U型的碳碳复合材料,从而增强了热场箱的防氧化效果,增加了其使用寿命,同时提高了保温效果,减少了能耗,降低了成本。
附图说明
图1是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例的结构示意图;
图2是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例中箱体内部结构示意图;
图3是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例中箱体主视图;
图4是图3中A-A方向剖视图;
图5是图3中B-B方向剖视图;
图6是图4中C处放大示意图。
为了使本实用新型的技术方案更加清楚、明了,下面将结合附图作进一步详述。
具体实施方式
本实用新型技术方案总体思路是:通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料,并在箱体出口的边缘及风窗处除了喷涂耐高温涂料外,还包裹一层U型的碳碳复合材料,以增强热场箱的防氧化效果,增加其使用寿命。
以下将结合附图及实施例,对实现实用新型目的的技术方案作详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限 定本实用新型。
请一并参照图1、图2、图3、图4、图5及图6所示,图1是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例的结构示意图;图2是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例中箱体内部结构示意图;图3是本实用新型真空炉保温系统防氧化处理结构一实施例中箱体主视图;图4是图3中A-A方向剖视图;图5是图3中B-B方向剖视图;图6是图4中C处放大示意图。
本实用新型一实施例提出的一种真空炉保温系统防氧化处理结构,包括位于真空炉或高温烧结炉等热处理炉内的热场箱1,热场箱1包括箱体11及箱盖12,箱体11与箱盖12均为保温碳毡材料,箱体11的一侧设有开口111,用于与箱盖12扣合;箱体11的开口边缘1111包裹有碳碳复合材料层113,碳碳复合材料由碳纤维编制层压而成,其抗氧化能力极强,在箱体11的开口边缘1111包裹碳碳复合材料层113可以防止箱体11的开口111处在高温下氧化,提高箱体11的保温效果。
其中,碳碳复合材料层113横截面可以为U型,或者与箱体11的开口截面形状贴近为宜。碳碳复合材料层113通过钼螺丝114与箱体11固定连接,如图6所示,图6是图4中C处放大示意图。
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