[实用新型]大功率三极管除浇口装置有效
| 申请号： | 201120159722.3 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN202196756U | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢伟波;黄振忠 | 申请（专利权）人： | 汕头华汕电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/68;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 515041 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 三极管 浇口 装置 | ||
【权利要求书】：
1.大功率三极管除浇口装置，其特征在于：具有
一下模座(1)，下模座(1)上设有承载产品的冲裁区(11)，冲裁区(11)内设有实现产品准确放置的定位结构(12)；
一带有冲切刀片的上模座(2)，活动设置在下模座(1)的上方；
一具有计数及报警功能的控制单元(3)，监管装置除浇口工作。
2.根据权利要求1所述的大功率三极管除浇口装置，其特征在于：所述定位结构(12)为冲裁区(11)内间隔分布的定位针，定位针的位置与大功率三极管的框架上的定位孔匹对。
3.根据权利要求1所述的大功率三极管除浇口装置，其特征在于：于冲裁区(11)内还设有能对金属材料起检测作用的框架正反识别传感器(13)，该框架正反识别传感器(13)驱动一电磁旋转限位块(4)；电磁旋转限位块(4)安装在下模座(1)的外侧。
4.根据权利要求1所述的大功率三极管除浇口装置，其特征在于：所述下模座(1)上设有竖立的导柱(14)，上模座(2)活动安装在导柱(14)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
