[实用新型]大功率三极管除浇口装置有效
申请号: | 201120159722.3 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN202196756U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 谢伟波;黄振忠 | 申请(专利权)人: | 汕头华汕电子器件有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/68;H01L21/56 |
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地址: | 515041 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 三极管 浇口 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体电子器件封装技术领域,尤其是指用于大功率三极管去除残留浇口的器具。
背景技术
在半导体封装领域,为了保护大功率产品的芯片和内部引线,需要使用环氧树脂对焊接在引线框架上的芯片和引线进行封装。而在树脂的浇注口上,或多或少会有一定程度浇口残留,该残留物的存在,除了使产品外观变得难看以外,在客户对产品的应用、自动装配过程也可能造成较大的影响,将可能由于装配过程卡料而导致产品报废,所以客户对产品上的浇口残留高度提出严格的要求,一般客户要求浇口残留高度小于0.5MM。
为此,本申请人秉持研究创新、精益求精之精神,利用专业眼光和专业知识,自主设计出一种大功率三极管除浇口装置。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种可实现去除产品底部的残留浇口,并保证不损伤塑封体的其它部分的大功率三极管除浇口装置,其结构简单,科学合理,操作运行简便,对产品定位精确,且能对产品 进行正反面识别,并对反向放置的产品有自动限位保护。
本实用新型再一目的是提供一种可自动计数及监控刀具使用寿命的上下限自动报警的大功率三极管除浇口装置。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
大功率三极管除浇口装置,具有:
一下模座,下模座上设有承载产品的冲裁区,冲裁区内设有实现产品准确放置的定位结构;
一带有冲切刀片的上模座,活动设置在下模座的上方,实现上下运动工作;
一具有计数及报警功能的控制单元,监管装置除浇口工作。
所述定位结构为冲裁区内间隔分布的定位针,定位针的位置与大功率三极管的框架上的定位孔匹对。
本实用新型再进一步设计是:于冲裁区内还设有能对金属材料起检测作用的框架正反识别传感器,该框架正反识别传感器驱动一电磁旋转限位块;电磁旋转限位块安装在下模座的外侧。
所述下模座上设有竖立的导柱,上模座活动安装在导柱上。
本实用新型具有如下有益效果:
1、以上下模形式工作,实现批量生产,且在冲裁区内设有实现产品准确放置的定位结构,对产品精确定位。
2、配备具有计数及报警功能的控制单元,可实现自动计数功能,并具备刀具使用寿命的上下限自动报警,保证了上模座上的刀片不会过度使用而磨损严重,产品质量得到有效保证。
3、在下模座的冲裁区内还设有能对金属材料起检测作用的框架正反识别传感器,可对产品进行正反面识别;并对反向放置的产品有自动限位,防止损伤产品,安全性高。
4、本实用新型结构简单,科学合理,投资成本低,操作运行简便,符合产品利用,极大方便去除残留浇口,提升产量和产品质量,使生产的产品外观美观,满足客户对产品上的浇口残留高度提出严格的要求。
附图说明
附图1为本实用新型的较佳实施例结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进一步说明:
参阅图1所示,为本实用新型的较佳实施例结构示意图,本实用新型有关一种大功率三极管除浇口装置,具有一下模座1,下模座1连带有支撑底部,方便安装在地面上,下模座1的中部设有承载产品的冲裁区11,冲裁区11为凹设结构,匹配产品放置及冲裁工作,冲裁区11内设有实现产品准确放置的定位结构12。图中,定位结构12为冲裁区11内间隔分布的定位针,定位针的位置与大功率三极管的框架上的定位孔匹对。在下模座1左右侧还向上设有竖立的导柱14,一带有冲切刀片的上模座2,活动安装在导柱14上,实现在下模座1的上方上下运动,达到刀片切除产品上残留的浇口;图中,上模座2上还设有伸缩弹簧给予向上拉持,起到保护作用。一具有计数及报警功能的控制单元3,监管装置除浇口工作。控制单元3通过电子产品, 如感应器等,来监控刀片冲切次数及磨损情况等,从而达到监管装置除浇口工作。
图1所示,本实用新型还在冲裁区11内还设有能对金属材料起检测作用的框架正反识别传感器13,该框架正反识别传感器13驱动一电磁旋转限位块4;电磁旋转限位块4安装在下模座1的外侧。
以上为本实用新型的结构形式,以下对本实用新型的实施过程进一步阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造