[实用新型]一种选择性发射极晶体硅太阳电池

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N⁺⁺和N型浅发射极N⁺；所述N型深发射极N⁺⁺上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。

2.如权利要求1所述一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述N型深发射极N⁺⁺宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm；所述N型浅发射极N⁺结深0.2~0.3μm。

3.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述P型晶体硅衬底厚度为80~300μm，为单晶硅片或多晶硅片。

4.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述正电极的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm。