[实用新型]一种选择性发射极晶体硅太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种具有选择性发射极的晶体硅太阳电池。 

背景技术

太阳电池可以将太阳能转化为电能，在提供电力的同时不产生任何有害物质，是解决能源与环境问题、实现可持续发展的有效途径。随着人们对再生绿色能源需求量的增长，晶体硅太阳电池技术得到了快速发展。现有的晶体硅太阳电池的光电转换效率一般在16%左右，随着太阳电池的广泛应用，人们对太阳电池的转换效率提出更高的要求，并要求能简化工艺，降低成本。

所谓选择性发射极（SE-selective emitter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。 

发明内容

本实用新型的目的是提供一种选择性发射极晶体硅太阳电池。

为达到上述目的，本实用新型所提出的技术方案为：一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N⁺⁺和N型浅发射极N⁺；所述N型深发射极N⁺⁺上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。

进一步的，所述N型深发射极N⁺⁺宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm，其方块电阻为40~50Ω/sqr；所述N型浅发射极N⁺结深0.2~0.3μm，其方块电阻为80~200Ω/sqr。

进一步的，所述P型晶体硅衬底厚度为80~300μm，为单晶硅片或多晶硅片。

进一步的，所述正电极的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm。

本实用新型的有益效果：提高光生载流子的收集率，提高太阳电池的短路电流和开路电压；降低太阳电池的串联电阻，减少光生载流子的表面复合；提高了太阳电池的转换效率。

附图说明

图1为本实用新型的实施例示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，为本实用新型的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，包括：一P型晶体硅衬底1，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极（N⁺⁺）3和N型浅发射极（N⁺ ）2；所述N型深发射极（N⁺⁺）3上制有一银主栅线正电极5，N型浅发射极（N⁺ ）2上镀有一层氮化硅抗反射膜4；衬底1下表面印制有铝背场6及铝或银背电极7。

P型晶体硅衬底1可为单晶硅片，也可为多晶硅片，其厚度为80~300μm。采用三氯氧磷（POCl₃）液态源扩散方法在衬底1上获得N型浅发射极（N⁺）2，通过激光辐照在磷硅玻璃上实现重掺杂，即在激光辐照区域获得了N型深发射极（N⁺⁺）3，氮化硅抗反射膜4由PECVD工艺获得，用丝网印刷工艺制作正电极5和背电极7。

本实施例中的P型晶体硅衬底1厚度为80~300μm，氮化硅抗反射膜4的厚度为65~85nm，正电极5的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm；正电极5底下的N型深发射极（N⁺⁺）3宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm，其方块电阻为40~50Ω/sqr；N型浅发射极（N⁺）2结深为0.2~0.3μm，其方块电阻为80~200Ω/sqr。 

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上对本实用新型做出的各种变化，均为本实用新型的保护范围。