[实用新型]基于电荷转移的传感器结构

权利要求书

1.基于电荷转移的传感器结构，包括基材、在基材上表面依次形成的第一透明导电层、第一引线电极组、第一保护层和在基材下表面依次形成的第二透明导电层、第二引线电极组、第二保护层；其特征在于：第一引线电极组由透明导电层及覆盖透明导电层的金属强化层组成，该引线电极组与第一透明导电层电气相连，其上覆盖第一保护层；第二引线电极组由透明导电层及覆盖透明导电层的金属强化层组成，该引线电极组与第二透明导电层电气相连，其上覆盖第二保护层；第一引线电极组与第二引线电极组互相垂直。

2.根据权利要求1所述的基于电荷转移的传感器结构，其特征在于基材为玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、亚克力或聚烯烃，厚度0.05mm~0.7mm。

3.根据权利要求2所述的基于电荷转移的传感器结构，其特征在于所述玻璃的厚度为0.1mm~0.7mm。

4.根据权利要求1所述的基于电荷转移的传感器结构，其特征在于所述的透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌、氧化锡、铝、镍、钼、金、银、铜、碳纳米管膜或导电树脂中的一种或任意几种的组合物。

5.根据权利要求1所述的基于电荷转移的传感器结构，其特征在于所述的金属强化层的材料为铝、镍、钼、金、银或铜中的一种或任意几种的合金。