[实用新型]一种应用于多电源FPGA的上电复位电路有效
| 申请号： | 201120201069.2 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN202143042U | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 姚韡荣;何文明 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人： | 胡吉科;于标 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 电源 fpga 复位 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于多电源FPGA的上电复位电路，其特征在于，所述电路包括：
侦测电源上电的电阻分压电路，与所述电阻分压电路相连的反相器，与所述反相器的输出端相连的施密特反相器，所述施密特反相器包括控制其电源开关的NMOS管，所述上电复位电路还包括上电时控制所述施密特反相器输出的开关PMOS管，所述开关PMOS管与所述施密特反相器相连。
2.根据权利要求1所述的应用于多电源FPGA的上电复位电路，其特征在于，所述电路还包括：
与所述施密特反相器相连的1.8V的PMOS管P7和1.8V的NMOS管N7。
3.根据权利要求2所述的应用于多电源FPGA的上电复位电路，其特征在于，所述电路还包括：
与所述施密特反相器相连的1.8V的PMOS管P8和1.8V的NMOS管N8。
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