[实用新型]一种应用于多电源FPGA的上电复位电路有效
申请号: | 201120201069.2 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN202143042U | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 姚韡荣;何文明 | 申请(专利权)人: | 深圳市国微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人: | 胡吉科;于标 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 电源 fpga 复位 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于集成电路领域,尤其涉及一种应用于多电源FPGA的上电复位电路。
背景技术
目前,FPGA都支持多电源技术,在多电源上电的过程中存在相互配合的问题。现有的上电复位电路存在设计不合理的问题,可能导致产生的复位信号电平错误,从而对内部电路造成异常或损坏。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型实施例的目的在于提供一种应用于多电源FPGA的上电复位电路。
本实用新型实施例是这样实现的,一种应用于多电源FPGA的上电复位电路,所述电路包括:
侦测电源上电的电阻分压电路,与所述电阻分压电路相连的反相器,与所述反相器的输出端相连的施密特反相器,所述施密特反相器包括控制其电源开关的NMOS管,所述上电复位电路还包括上电时控制所述施密特反相器输出的开关PMOS管,所述开关PMOS管与所述施密特反相器相连。
进一步地,所述电路还包括:
与所述施密特反相器相连的1.8V的PMOS管P7和1.8V的NMOS管N7。
在本实用新型中,在以往的复位电路的基础上,在施密特反相器的电源端引入电源电压控制的NMOS管,同时,在施密特反相器的输出端引入电源电压控制的PMOS管作为下拉管,消除在上电过程中,由于施密特反相器没有开启而导致的输出三态。这样,就避免了现有的上电复位电路存在设计不合理时,可能导致产生的复位信号电平错误,从而对内部电路造成异常或损坏的问题。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的上电复位电路的结构框图;
图2是本实用新型实施例提供的上电复位电路的电路结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图1示出了本实用新型实施例提供的上电复位电路的结构,该电路包括:侦测电源上电的电阻分压电路11,与所述电阻分压电路11相连的的反相器12,与所述反相器12的输出端相连的施密特反相器13,所述施密特反相器13包括控制其(施密特反相器13)电源开关的NMOS管。所述上电复位电路还包括上电时控制所述施密特反相器13输出的开关PMOS管14,所述开关PMOS管14与所述施密特反相器13的输出端相连。
参阅图2,本实用新型实施例提供的上电复位电路的电路结构,其中,VCCAUX为3.3V电源电压,VCCINT为1.8V电源电压。P0~P6,以及P9是3.3V的PMOS管,N0~N6为3.3V的NMOS管,P7~P8为1.8V的PMOS管,N7~N8为1.8VNMOS管。N6是VCCINT接入施密特反相器的开关,由VCCAUX控制,即当VCCAUX上电到使N6开启时,VCCINT才能作用于施密特反相器。P9是VCCAUX控制的开关下拉管,即当VCCAUX上电初期,实现下拉功能;当VCCAUX上电到使P9关闭时,电路正常工作。
P0~P1,N0~N1构成分压电路,用于控制VCCAUX的上电复位信号的触发点。P3和N2构成的反相器对分压后的信号进行整形。P4~P6,N3~N5构成施密特反相器,实现VCCAUX到VCCINT的电平转换,同时,对经过P3和N2构成的反相器输出下降沿波形的整形。P7和N7,以及P8和N8 用于对施密特输出的上电复位信号进一步整形,可根据实际输出需要上升沿或下降沿而选择只接入P7和N7,还是P7和N7以及P8和N8都接入。
因为存在多电源上电,因此上电顺序的不同对上电复位电路的影响也不同。若VCCAUX先上电,则N6处于开启状态,此时,若VCCINT没上电,则C点作为后续反相器的输入会存在不定态,若C点在VCCINT上电时处于一个中间态,则会导致输出不正确的上电复位信号,为了避免这种情况出现,加入P9作为VCCAUX控制的下拉开关管,这样,即使VCCINT没上电,由于VCCAUX上电初期对C进行了下拉而使该点处于所需的低电平。若VCCINT先上电,则由于VCCAUX没有开启N6而不会影响C点的初始电位,使之保持为低电平。此时,加入P9可以更明确的在VCCAUX上电时,使C点的初始态为确定的低电平。
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