[实用新型]一种阵列基板及其接触端子区电极结构有效
| 申请号： | 201120201999.8 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN202171704U | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 战戈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1362;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 接触 端子 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种阵列基板接触端子PAD区电极结构，其特征在于，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。
2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极为PAD区的栅极扫描电极、和/或PAD区的数据信号扫描电极。
3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述构成PAD区的栅极扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
4.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述构成PAD区的数据信号扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电极结构，其特征在于，所述每个电极包含有三个子电极。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板延伸至PAD区的栅极扫描线，采用如权利要求1至5任一项所述的PAD区电极结构；和/或，
所述阵列基板延伸至PAD区的数据信号扫描线，采用如权利要求1至5任一项所述的PAD区电极结构。
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