[实用新型]一种阵列基板及其接触端子区电极结构有效
申请号: | 201120201999.8 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN202171704U | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 战戈 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;H01L29/423 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 接触 端子 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示面板领域,尤其涉及一种阵列基板及其接触端子(PAD)区电极结构。
背景技术
随着现代科技的发展,近年来电子显示产品得到迅猛发展,先进的平板显示产品层出不穷,尺寸由小到大,小到手机、PDA产品,大到电视及平面广告媒体机。平板显示产品包括等离子电视、液晶电视、笔记本、提款机、手机、PDA、PSP、信息查询机、媒体广告播放机等,因此用于平板显示产品的平面显示面板的需求也在不断增加,平面显示面板包括液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)、等离子显示面板(PDP)、以及有机发光二极管(OLED)等等,其中薄膜场效应晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在大批量生产工艺、操作方便的驱动方式、以及容易实现高质量等方面获得广泛认可。
现有TFT-LCD的阵列基板包括薄膜晶体管、栅极扫描线、数据信号扫描线、像素电极;其中,薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连,源极与数据信号扫描线相连,漏极与像素电极相连;所述延伸至液晶盒外的PAD区域的栅极扫描线即为PAD区的栅极扫描电极,延伸至液晶盒外的PAD区域的数据信号扫描线即为PAD区的数据信号扫描电极;
这里,位于TFT-LCD液晶盒外的PAD区的结构具体参照图1,PAD区是连接液晶盒内的栅极扫描线与盒外薄膜集成芯片(COF)9的区域,PAD区包括基板6、金属层(栅极扫描电极或数据信号扫描电极)1、钝化层2,其中,由于栅极扫描电极与数据信号电极相互垂直,因此,图1的截面中仅示出了PAD区的栅极扫描电极,这里,栅极扫描电极和数据信号电极在基板6上通过镀膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀等工艺形成的,然后通过各向异性导电胶(ACF)8与COF 9连接,实现导通,同时为了保护电极区,在彩膜7和COF 9之间的狭缝处涂覆硅胶10。
现有的PAD区的电极结构多为大孔设计,具体可参考图2和图3,如图2所示,所述PAD区的金属层1上设置有钝化层2,在金属层1上方的钝化层2刻蚀形成一个大的过孔3,然后制作像素电极4,其中,图2中沿A-A’线的截面示意图如图3,图3中,金属层1上附着有钝化层2,通过过孔3与像素电极4连通,由于PAD区电极的过孔设计,再结合硅胶涂覆情况、COF切割精度等因素影响,会使PAD区电极部分暴露出来,尤其当在潮湿环境下工作时发生电极腐蚀等现象时,腐蚀从一点开始发生后,很容易扩散到周围,使得整个电极因腐蚀而断裂,严重影响现有用户终端市场的产品质量。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板及其PAD区电极结构,能够有效解决PAD区电极腐蚀的问题。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种阵列基板接触端子PAD区电极结构,所述电极采用叉形结构,每个电极包含有至少两个子电极,同一电极的子电极相互连通。
其中,所述电极为PAD区的栅极扫描电极、和/或PAD区的数据信号扫描电极。
其中,所述构成PAD区的栅极扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
其中,所述构成PAD区的数据信号扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
进一步地,所述每个电极包含有三个子电极。
一种阵列基板,所述阵列基板延伸至PAD区的栅极扫描线,采用如上所述的PAD区电极结构;和/或,
所述阵列基板延伸至PAD区的数据信号扫描线,采用如上所述的PAD区电极结构。
本实用新型通过对PAD区电极结构采用叉形设计,每个电极包含多个子电极,同一电极的子电极相互连通,如此,当腐蚀发生在一个子电极的情况下,当腐蚀向四周扩散时,会遇到钝化层而无法继续腐蚀其他子电极,这样,当被腐蚀的子电极断裂后,其他子电极仍能起到连通的作用,避免了整个电极因腐蚀而断裂,很好地提高了现有用户终端市场(Field端)的产品质量。
附图说明
图1为现有PAD区的截面示意图;
图2为现有阵列基板的PAD区的电极结构示意图;
图3为图2示出的电极结构沿A-A’的截面示意图;
图4为本实用新型阵列基板的PAD区的电极结构示意图;
图5为图4示出的电极结构沿B-B’的截面示意图。
附图标记说明:1-金属层;2-钝化层;3-过孔;4-像素电极;5-子电极;6-基板;7-彩膜;8-ACF;9-COF;10-硅胶。
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