[实用新型]CMOS图像传感器有效

申请号：	201120214548.8	申请日：	2011-06-22
公开（公告）号：	CN202111095U	公开（公告）日：	2012-01-11
发明（设计）人：	李杰;赵立新	申请（专利权）人：	格科微电子（上海）有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 上海市***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	cmos 图像传感器
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【权利要求书】：

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底内或表面的P型埋层；

位于所述基底上的N型外延层，所述N型外延层包括多个像素单元，所述像素单元包括N型感光区，所述N型感光区的位置与所述P型埋层的位置相对应。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述N型感光区的位置与所述P型埋层的位置相对应，包括：所述P型埋层覆盖所述基底表面，所述N型感光区位于所述P型埋层的上方；或所述P型埋层位于所述基底内，所述N型感光区位于所述P型埋层的上方；或所述P型埋层位于所述基底内或表面，所述P型埋层包括多个分立的P型埋层单元，所述P型埋层单元之间具有间隔，所述N型感光区位于所述P型埋层单元的正上方；或所述P型埋层位于所述基底内或表面，所述P型埋层包括多个分立的P型埋层单元，所述P型埋层单元之间具有间隔，所述N型感光区位于所述间隔的正上方。

3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述基底为N型硅衬底；或所述基底包括N型半导体衬底和位于所述N型半导体衬底表面的初始N型外延层。

4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，当所述基底包括N型半导体衬底和位于所述N型半导体衬底表面的初始N型外延层时，所述P型埋层位于所述初始N型外延层的表面或位于所述初始N型外延层内。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述P型埋层的P型离子浓度为1E15-1E20/cm³。

6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述N型外延层的厚度为2～7μm，离子浓度为1E10-1E16/cm³。

7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述N型外延层内、环绕所述像素单元的感光区域且与P型埋层相连的P型隔离区。

8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述P型隔离区的离子浓度为1E15-1E19/cm³。

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