[实用新型]一种功率半导体器件结电容测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件测试领域，尤其涉及一种功率半导体结电容测试装置。

背景技术

功率半导体器件结电容参数是反映器件结构特性、动态开关时间的重要参数，一般包括输入电容、输出电容和反馈电容三项，测量不同的电容参数需要连接不同的外接测试电路。

目前测试功率半导体器件结电容采用的方法一般为：用测试探头或者鳄鱼夹在被测器件和电感电容电阻(LCR)测试仪之间连接线路。采用现有方法测试时，针对不同的被测结电容参数，需要使用不同的测试电路，测试工作较为繁琐，测试效率低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种功率半导体器件结电容测试装置，目的在于解决现有测试方法效率低的问题。

一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，所述结电容测试电路板包括：

两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，所述电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；

反馈电容测试点，所述反馈电容测试点接地；

输出电容测试点，所述输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；

与所述电源连接点相连的高电压电流连接点和与所述栅极测试点相连的低电压电流连接点。

优选的，还包括：根据测试结电容参数的不同，将所述源极测试点分别与所述两个输入电容测试点、两个反馈电容测试点或两个输出电容测试点相连的开关组件。

优选的，还包括：

设置于所述结电容测试电路板外部的金属盒体；

设置于所述金属盒体上，放置待测器件，将待测器件的源极、栅极和漏极分别与结电容测试电路板上的源极测试点、栅极测试点和漏极测试点相连的测试夹具；

设置于所述金属盒体上的接口端，所述接口端包括：信号接口端和电源接口端，所述信号接口端包括依次设置于金属盒体上表面的高电流接口端、高电压接口端、低电压接口端和低电流接口端，所述高电压接口端和所述高电流接口端与所述高电压电流连接点相连，所述低电压接口端和所述低电流接口端与所述低电压电流连接点相连，所述电源接口端与所述电源连接点相连，所述电源连接点通过所述电源接口端与偏置直流电源相连；

还包括，与所述开关组件对应的开关触点。

优选的，所述接口端为带有刺刀螺母连接器BNC的同轴电缆接口。

本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，与现有技术相比，用此装置测试时不需要再重新连接电路，简化了测试工作，提高了测试效率。

进一步的，将电路板放入金属盒体，避免了外部信号对测试信号的干扰，提高了测试的效率和精度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置结构示意图；

图2为本实用新型实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置的测试连接示意图；

图3为本实用新型实施例公开的又一功率半导体器件结电容测试装置结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。