[实用新型]多晶硅CVD炉三层底盘结构有效
| 申请号： | 201120232320.1 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202131103U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李严州;许国文;茅陆荣;李东曦 | 申请（专利权）人： | 上海森松化工成套装备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 马育麟 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 cvd 三层 底盘 结构 | ||
【权利要求书】：
1.多晶硅CVD炉三层底盘结构，其特征在于，包括底盘法兰，上底板、中底板、下底板，所述上底板、中底板与下底板固定于所述底盘法兰，所述上底板与中底板形成冷却水腔体，中底板与下底板形成混合气腔体。
2.根据权利要求书1所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构，其特征在于，所述底盘结构包括进气管与出气管，所述进气管分为进气管A与进气管B。
3.根据权利要求书2所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构，其特征在于，进气管A固定于所述下底板，进气管B固定于所述中底板与上底板，出气管固定于所述上底板。
4.根据权利要求书1所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构，其特征在于，所述底盘结构包括进水管与出水管，所述进水管与出水管均固定于所述中底板与下底板。
5.根据权利要求书1所述的多晶硅CVD炉三层底盘结构，其特征在于，所述底盘结构包括若干个电极座，所述电极座固定于所述上底板、中底板与下底板。
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