[实用新型]多晶硅CVD炉三层底盘结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅CVD炉，特别涉及多晶硅CVD炉的三层底盘结构，属于新能源太阳能光伏产业技术领域。

背景技术

多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要原材料，在太阳能光伏产业市场的拉动及巨大利润诱导下，各地多晶硅项目纷纷上马，多晶硅产业前景广阔，发展迅猛，在中国已经成为投资的热点。

目前，生产多晶硅的工艺主要以“改良西门子法”（即SiHCl₃还原法）为主流技术，其关键设备就是多晶硅CVD炉。SiHCl₃和H₂按照一定比例通入到多晶硅CVD炉中，一定压力和温度的环境条件下，在导电硅芯上进行还原反应沉积多晶硅。多晶硅生长速率和产品质量很大程度上取决于多晶硅CVD炉内混合气流场的稳定性。

然而，现有的多晶硅CVD炉底盘结构复杂，进气口接管与电极棒在底盘上的安装与操作难度大，且混合气通过进气管直接进入多晶硅CVD炉内，使得炉内的混合气进气不稳定，导致流场不稳定，最终降低多晶硅的生长速率与产品质量。

实用新型内容

本实用新型提供一种多晶硅CVD炉三层底盘结构，该结构使得多晶硅CVD炉内流场稳定，以提高多晶硅生长速率和改善多晶硅产品质量，同时可以降低多晶硅CVD炉的操作难度，延长多晶硅CVD炉的使用寿命。

本实用新型通过以下技术方案实现：

多晶硅CVD炉三层底盘结构，包括上底板、中底板、下底板、底盘法兰、电极座，所述上底板、中底板与下底板固定于所述底盘法兰，所述上底板与中底板形成冷却水腔体，中底板与下底板形成混合气腔体。

作为本实用新型的一种优选方案，所述底盘结构包括进气管与出气管，所述进气管分为进气管A与进气管B，进气管A固定于所述下底板，进气管B固定于所述中底板与上底板，出气管固定于所述上底板。

作为本实用新型的一种优选方案，所述底盘结构包括进水管与出水管，所述进水管与出水管均固定于所述中底板与下底板。

作为本实用新型的一种优选方案，所述底盘结构包括若干个电极座，所述电极座固定于所述上底板、中底板与下底板。

本实用新型的多晶硅CVD炉三层底盘结构，通过中底板将上底板与下底板分为两个不同的腔体，使得混合气与冷却水分别位于这两个不同的腔体中。混合气在混合气腔体中缓冲后再进入多晶硅CVD炉参与还原沉积反应，由于腔体的缓冲，提高了混合气的均匀度与稳定性，使得还原炉内的混合气流场稳定，提高了多晶硅的生长速率与产品质量。同时，混合气腔体与冷却水腔体的分开，降低了多晶硅CVD炉内混合气的压差，也保证了混合气进气的稳定性，提高了多晶硅的生长速率与产品质量。

底盘冷却水腔体位于上底板与中底板之间，减小了冷却水腔体的体积，相同时间内，减少了冷却水的流量，降低了冷却水的使用成本。

本实用新型提供的多晶硅CVD炉三层底盘结构，因为混合气腔体的形成，减少了底盘进气管的数量，增大了多晶硅CVD炉内的操作空间，降低了其底部安装和操作难度，提高了设备的利用率。对于高压启动的多晶硅CVD炉，底盘容易产生拉弧，增加了爬电距离，而三层底盘结构减少了进气管的数量，降低了底盘产生拉弧的可能性。

三层底盘结构还保证了混合气进气口和电极之间形成三明治结构，使得底盘在制作过程中更好的控制其变形量，减小上底板的变形量；因进气管数量的减少，还减少了底盘应力的产生，使得底盘结构受力好，保证多晶硅CVD炉长时间运行也不易产生变形。

附图说明

图1是本实用新型多晶硅CVD炉三层底盘结构的剖面图。

附图标记：1上底板，2中底板，3下底板，4底盘法兰，5电极座，61进气管A，62 进气管B，7出气管，8进水管，9出水管，10混合气腔体，11冷却水腔体。

具体实施方式

    下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步介绍。

如图1所示，多晶硅CVD炉三层底盘结构包括上底板1，中底板2，下底板3，底盘法兰4，电极座5，进气管，出气管7，进水管8，出水管9。上底板1、中底板2与下底板3固定于底盘法兰4，进气管分为进气管A61与进气管B62，进气管A61固定于下底板3，进气管B62固定于中底板2与上底板1，出气管7固定于上底板1。进水管8与出水管9均固定于中底板2与下底板3。所述底盘结构包括若干个电极座，电极座5固定于上底板1、中底板2与下底板3。

其中，中底板2将上底板1和下底板3分为两个不同的腔体，混合气通过进气管6进入到中底板2和下底板3之间的混合气腔体10；冷却水通过进水管8进入到上底板1和中底板2之间的冷却水腔体11。混合气和冷却水通过中底板3分别位于两个不同的腔体。混合气在混合气腔体10中缓冲后再进入多晶硅CVD炉内参与还原沉积反应，由于混合气腔体10的缓冲，提高了混合气的均匀度与稳定性。冷却水腔体11由上底板1和中底板2形成，由于冷却水腔体11体积的减小，相同时间内，减小了冷却水的流量，降低了冷却水的使用成本。