[实用新型]一种湿度检测装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及湿度检测技术领域，尤其涉及一种湿度检测装置。

背景技术

目前，在薄膜晶体管的生产过程中，每层图案(pattern)的形成主要分为成膜、掩膜、刻蚀以及剥离四步。在上述四步中，为了防止薄膜晶体管上出现微小尘埃，在成膜前、掩膜前以及剥离后都要对该薄膜晶体管进行清洁工序。进一步的，在清洁工序之后还要对该薄膜晶体管进行干燥工序。

但是在对薄膜晶体管进行干燥工序时，用于干燥的设备常会出现故障，使水渍等液体残留在该薄膜晶体管的基板的沟道中，影响该薄膜晶体管的成像，从而造成薄膜晶体管像素不良。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种湿度检测装置，防止在薄膜晶体管的生产过程中出现像素不良。

本实用新型实施例采用如下技术方案：

一种湿度检测装置，包括：传动单元、湿度感应单元、信号处理单元；

所述传动单元，用于控制所述湿度感应单元与基板接触；

所述湿度感应单元，用于当与所述基板接触时，检测所述基板的湿度，当所述基板的湿度高于预设湿度时，根据所述基板的湿度生成湿度信号，并将所述湿度信号发送给所述信号处理单元；

所述信号处理单元，用于根据来自所述湿度感应单元的湿度信号生成湿度提示信号，以提示所述基板的湿度情况。

本实用新型实施例提供的一种基板的湿度检测装置，在薄膜晶体管的生产过程中，利用湿度感应单元检测经过干燥工序的基板的湿度，若该基板上有水渍等液体残留，信号处理单元根据来自所述湿度感应单元的湿度信号生成湿度提示信号，以提示用户基板上有水渍等液体残留，防止在薄膜晶体管的生产过程中出现像素不良。因此，利用本实用新型实施例的湿度检测装置，防止在薄膜晶体管的生产过程中出现像素不良。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一的湿度检测装置的示意图；

图2为本实用新型实施例一的湿度检测装置的又一示意图；

图3为本实用新型实施例二的湿度检测装置的示意图；

附图标记

11-传动单元、12-湿度感应单元、13-信号处理单元；

120-探测头、121-上电极、122-下电极、131-控制模块、132-提示模块、1311-电容、1312-负载、200-基板；

31-基板200的运动路径、32-与基板200的运动路径垂直的方向。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型实施例一提供了一种湿度检测装置，包括：传动单元11、湿度感应单元12、信号处理单元13。其中，所述传动单元11，用于控制所述湿度感应单元12与基板接触。所述湿度感应单元12，用于当与所述基板接触时，检测所述基板的湿度，当所述基板的湿度高于预设湿度时，根据所述基板的湿度生成湿度信号，并将所述湿度信号发送给所述信号处理单元13。所述信号处理单元13，用于根据来自所述湿度感应单元12的湿度信号生成湿度提示信号，以提示所述基板的湿度情况。

具体的，如图2所示，所述湿度感应单元12可以包括上电极121和下电极122。其中，所述上电极可以包括硅片、覆盖在所述硅片上的二氧化硅层以及覆盖在所述二氧化硅层上的感湿膜。所述下电极可以包括金属铝层。所述信号处理单元13可以包括控制模块131和提示模块132。所述控制模块131可以包括电容1311和负载1312。

当基板200经过干燥工序后，被传送到湿度检测位置时，所述传动单元11控制所述湿度感应单元12的上电极121和下电极122分离，并使所述上电极121与所述基板200接触，以检测所述基板200的湿度。其中，所述湿度检测位置可以为所述基板在其运动方向上与所述湿度感应单元12首先接触的一侧。