[实用新型]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120248434.5 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN202178260U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 覃事建;贺成明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
透明衬底；
栅极和数据线，所述栅极和数据线设置在所述透明衬底的表面；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极和所述数据线；
非晶半导体层，所述非晶半导体层设置在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域；
通孔，所述通孔设置在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域；
源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极设置在所述非晶半导体层的两端，源极电极和漏极电极之一通过所述通孔连接至所述数据线；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层表面，并覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶半导体层包括堆叠设置的导电类型相同的第一非晶半导体层和第二非晶半导体层，所述第一非晶半导体层与所述第一绝缘层贴合，所述第二非晶半导体层与所述源极电极和漏极电极贴合，所述第二非晶半导体层的电导率高于所述第一非晶半导体层的电导率。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极电极和漏极电极之间的所述第二非晶半导体层包括镂空的开孔，所述开孔的宽度等于所述源极电极和漏极电极之间的距离。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一非晶半导体层在所述源极电极和漏极之间部分的厚度小于所述第一非晶半导体层其余部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层位于所述源极电极和漏极电极之间部分包括镂空的开孔，所述开孔的宽度小于所述源极电极和漏极电极之间的距离。
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