[实用新型]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及薄膜晶体管。

背景技术

有机发光二极管(OLED)越来越受到人们的关注。OLED屏通常采用非晶硅薄膜晶体管作为驱动，而非晶硅薄膜晶体管开关器件电子迁移率低，不能满足OLED屏的电流驱动方式。因此将非晶硅转换为多晶硅，提高电子迁移率来改善TFT开关器件的电特性显得尤为重要。

现有技术的缺点在于，薄膜晶体管直接形成于透明衬底表面，需要生长多层堆叠结构，并且还需要制作薄膜晶体管与外部组件的电学连接结构，工艺过程繁琐，成本较高。

发明内容

为解决以上反映的诸多技术问题，本实用新型提供一种薄膜晶体管，能够节省工艺成本。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种薄膜晶体管，包括：透明衬底；栅极和数据线，所述栅极和数据线设置在所述透明衬底的表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极和所述数据线；非晶半导体层，所述非晶半导体层设置在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域；通孔，所述通孔设置在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域；源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极设置在所述非晶半导体层的两端，源极电极和漏极电极之一通过所述通孔连接至所述数据线；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层表面，并覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极。

本实用新型的优点在于，通过在数据线表面设置通孔，使薄膜晶体管的源极电极或者漏极电极在形成过程中直接同数据线电学连接，节省了工艺成本。进一步地，源极电极和漏极电极也采用多晶硅材料制备，而非现有技术中的金属材料，简化了工艺步骤，从而进一步节省了工艺成本。

附图说明

附图1所示是本实用新型具体实施方式所述方法的步骤流程图。

附图2A至附图2J所示是本实用新型具体实施方式所述方法的工艺示意图，其中附图2J所示是最终形成的薄膜晶体管的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的薄膜晶体管的具体实施方式做详细说明。

为了让本实用新型的目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合说明书所附图式，做详细的说明。本实用新型说明书提供不同的实施例来说明本实用新型不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各组件的配置是为清楚说明本实用新型揭示的内容，并非用以限制本实用新型。且不同实施例中图式标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。

附图1所示是本实用新型具体实施方式所述方法的步骤流程图，包括：步骤S100，提供透明衬底；步骤S110，在所述透明衬底表面形成栅极和数据线；步骤S120，在所述透明衬底表面形成覆盖所述栅极和所述数据线的第一绝缘层；步骤S130，在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域形成非晶半导体层，其中，所述非晶半导体层包括第一非晶半导体层和第二非晶半导体层，第二非晶半导体层堆叠于第一非晶半导体层之上；步骤S140，在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域形成通孔；步骤S150，在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层和所述通孔的导电层；步骤S160，将所述导电层和第二非晶半导体层与所述栅极对应的部分移除以分割导电层和第二非晶半导体层，从而形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，并减薄对应位置的第一非晶半导体层；步骤S170，在所述第一绝缘层表面形成覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极的第二绝缘层；步骤S180，除去所述第二绝缘层位于所述源极电极和漏极电极之间部分；步骤S190，采用激光照射所述非晶半导体层，以增加非晶半导体层晶格排列的有序度。

附图2A至附图2J所示是本实用新型具体实施方式所述方法的工艺示意图。

附图2A所示，参考步骤S100，提供透明衬底200。所述透明衬底200的材料可以是包括玻璃在内的任意一种常见材料。

附图2B所示，参考步骤S110，在所述透明衬底200的表面形成栅极210和数据线230。栅极210和数据线230的材料可以是多晶硅或者金属等导电材料。本具体实施方式在此步骤中同时制作了栅极210和数据线230，并在后续步骤中通过工艺整合，在形成薄膜晶体管的同时形成数据线230和薄膜晶体管源极电极或者漏极电极之间的电学连接，以节省工艺步骤。