[实用新型]阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片有效
申请号: | 201120259851.X | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN202178360U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 郝敏 | 申请(专利权)人: | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
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地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻抗 50 大功率 氮化 陶瓷 250 负载 | ||
技术领域
本实用新型涉一种氮化铝陶瓷基板负载片,特别涉及一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板250瓦负载片。
背景技术
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率,如果不能承受要求的功率,负载就会烧坏,可能导致整个设备烧坏。目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率,要求基本的尺寸越来越小,而需要吸收的功率越来越大。
目前国内功率能达到250瓦负载片一种是选用BeO材料,这种材料是有毒的,在生产过程中很容易对环境造成污染,对生产人员的身体健康带来一定的危害。另一种是使用较大尺寸的氮化铝基板,这种大尺寸的氮化铝基板并不满足通行基站小型化的要求。目前国内基本没有应用氮化铝基板在16*6*1mm的尺寸上做出能承受250W功率的负载片。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足,本实用新型要解决的技术问题是提供一种可在16*6*1mm的氮化铝基板上承载250W功率的负载片。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片,其包括一16*6*1mm的氮化铝基板,所述氮化铝基板的正面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线,所述导线连接所述电阻形成负载电路,所述负载电路的接地端与所述背导层电连接,所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
优选的,所述负载电路包括两个对称排列的第一电阻及两个对称排列的第二电阻,所述左侧第一电阻与左侧第二电阻串联形成第一负载支路,右侧第一电阻和右侧第二电阻串联形成第二负载支路,所述第一负载支路、第二负载支路并联。
优选的,所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
优选的,所述背导层及导线由导电银浆印刷而成,所述电阻由电阻浆料印刷而成。
上述技术方案具有如下有益效果:该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片可在16*6*1mm的氮化铝基板上承载250W的负载,从而大大的减小了负载片的尺寸,达到了小尺寸大功率的要求,进而可使客户端的产品尺寸进一步缩小。同时采用该结构的氮化铝陶瓷基板负载片可代替原来的BeO材料的负载片,可有效降低对环境的污染,避免对生产人员身体造成伤害。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示,该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片,其包括一16*6*1mm的氮化铝基板1,氮化铝基板1的背面印刷有背导层,氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线2,导线连接电阻形成负载电路。该负载电路包括两个对称排列的第一电阻3及两个对称排列的第二电阻4,左侧的第一电阻3与左侧的第二电阻4串联形成第一负载支路,右侧的第一电阻3和右侧的第二电阻4串联形成第二负载支路,第一负载支路、第二负载支路并联。负载电路的接地端与背导层电通过银浆电连接,从而使负载电路接地导通。两个第一电阻3及两个第二电阻4上印刷有玻璃保护膜5,导线2及玻璃保护膜5的上表面还印刷有一层黑色保护膜6。黑色保护膜6上还可以印刷品牌和型号。上述背导层及导线由导电银浆印刷而成,所述电阻由电阻浆料印刷而成。
本负载片突破了传统的单个电阻以及两个电阻并联的设计思路,采用了四个电阻的设计方案,采用串联并联混合搭配的设计,这样就在有限的基板上尽量把电阻的面积做大最大,从而满足了功率的需要。采用了四电阻的设计方案,增加了导线的长度,从而可以有足够的空间优化产品性能,使得产品的回波损耗降低,满足了实际使用的需要。
该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片可在16*6*1mm的氮化铝基板上承载250W的负载,从而大大的减小了负载片的尺寸,达到了小尺寸大功率的要求,进而可使客户端的产品尺寸进一步缩小。同时采用该结构的氮化铝陶瓷基板负载片可代替原来的BeO材料的负载片,可有效降低对环境的污染,避免对生产人员身体造成伤害。
以上对本实用新型实施例所提供的一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片进行了详细介绍,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制,凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
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