[实用新型]LED封装构造

权利要求书

1.一种LED封装构造，其特征在于，包括：

陶瓷基板体，该陶瓷基板体设有基板上侧部、基板下侧部及多个基板边侧部；

金属导电层体，该金属导电层体设有正极导电层部、负极导电层部、多个焊垫导电导热层部及多个总线导电层部，其金属导电层体镀设于陶瓷基板体上，而多个总线导电层部分设于多个焊垫导电导热层部的周围；

多个LED DIE晶片体，LED DIE晶片体设有P阶部及N阶部，多个LED DIE晶片体是分别导接结合于金属导电层体的多个焊垫导电导热层部上；以及

多个封装金属导线体，该封装金属导线体打线设于金属导电层体的正极导电层部、负极导电层部、总线导电层部与多个LED DIE晶片体的P阶部及N阶部间。

2.根据权利要求1所述的LED封装构造，其特征在于，所述金属导电层体的正极导电层部设于陶瓷基板体的基板上侧部，所述负极导电层部设于陶瓷基板体的基板下侧部，且多个焊垫导电导热层部设于陶瓷基板体的基板上、下侧部之间。

3.根据权利要求1所述的LED封装构造，其特征在于，所述金属导电层体的正、负极导电层部分别设于陶瓷基板体的基板边侧部，且多个焊垫导电导热层部设于陶瓷基板体的基板边侧部之间。

4.根据权利要求1所述的LED封装构造，其特征在于，所述封装金属导线体经正极导电层部打线至总线导电层部，再由总线导电层部将封装金属导线体打线至LED DIE晶片体的P阶部，并由LEDDIE晶片体的N阶部将封装金属导线体打线至相邻的另一个LEDDIE晶片体间的总线导电层部，依序排列进行封装金属导线体的导接打线，再由最后的LED DIE晶片体的N阶部将封装金属导线体打线导接至负极导电层部。

5.根据权利要求1所述的LED封装构造，其特征在于，所述金属导电层体所设的焊垫导电导热层部设有金属温度感测凸脚。

6.根据权利要求5所述的LED封装构造，其特征在于，所述金属温度感测凸脚设于陶瓷基板体靠近基板边侧部的金属导电层体所设的焊垫导电导热层部。

7.根据权利要求1所述的LED封装构造，其特征在于，所述陶瓷基板体两侧靠近基板边侧部分设有点胶参考点。