[实用新型]LED封装构造

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED封装构造，尤指一种应用于复合板材结构上的LED封装构造。

背景技术

目前现有的LED封装结构如图14及图15所示，该图14的LEDDIE晶片体50间以传统的金线51打线方式封装，经长距离的金线51打线，而使LED DIE晶片体50间相互导接，其跨距长使整体金线51打线复杂且数量繁多，并增加金线51的使用量。另外，图15的基板60设有多个凹槽61，且导电线路62设置于基板60边缘，然后将LEDDIE晶片体50设于基板60的多个凹槽61中，并以金线51打线连接LED DIE晶片体50与导电线路62，现有的LED封装结构具有下列问题存在：

1.制程与结构稳定性差：其打线跨距较大而使金线的自垂重量与上方荧光胶重量产生压力影响，令LED DIE晶片体的P极或N极脱落而电路断路，且较多的打线易造成发光区域的遮蔽，影响LED DIE晶片体的发光效率，故其制程与结构稳定性差。

2.导线打线便利性差：其打线复杂并繁多，使打线设备需耗费较多的打线及作业时间，且LED DIE晶片体的P极与N极面积小，于金线打线接合时易遗漏，故其导线打线便利性差。

实用新型内容

本实用新型鉴于现有LED封装结构制程与结构稳定性差及导线打线便利性差的问题，而提出本实用新型的LED封装构造。

本实用新型提供的一种LED封装构造，包括：

一陶瓷基板体，该陶瓷基板体设有一基板上侧部、一基板下侧部及多个基板边侧部；

金属导电层体，该金属导电层体设有正极导电层部、负极导电层部、多个焊垫导电导热层部及多个总线导电层部，其金属导电层体镀设于陶瓷基板体上，而多个总线导电层部分设于多个焊垫导电导热层部的周围；

多个LED DIE晶片体，LED DIE晶片体设有P阶部及N阶部，多个LED DIE晶片体是分别导接结合于金属导电层体的多个焊垫导电导热层部上；以及

多个封装金属导线体，该封装金属导线体是打线设于金属导电层体的正极导电层部、负极导电层部、总线导电层部与多个LED DIE晶片体的P阶部及N阶部间。

作为优选，所述金属导电层体的正极导电层部设于陶瓷基板体的基板上侧部，所述负极导电层部设于陶瓷基板体的基板下侧部，且多个焊垫导电导热层部设于陶瓷基板体的基板上、下侧部之间。

作为优选，所述金属导电层体的正、负极导电层部分别设于陶瓷基板体的基板边侧部，且多个焊垫导电导热层部设于陶瓷基板体的基板边侧部之间。

作为优选，所述封装金属导线体经正极导电层部打线至总线导电层部，再由总线导电层部将封装金属导线体打线至LED DIE晶片体的P阶部，并由LED DIE晶片体的N阶部将封装金属导线体打线至相邻的另一个LED DIE晶片体间的总线导电层部，依序排列进行封装金属导线体的导接打线，再由最后的LED DIE晶片体的N阶部将封装金属导线体打线导接至负极导电层部。

作为优选，所述金属导电层体所设的焊垫导电导热层部设有金属温度感测凸脚。

作为优选，所述金属温度感测凸脚设于陶瓷基板体靠近基板边侧部的金属导电层体所设的焊垫导电导热层部。

作为优选，所述陶瓷基板体两侧靠近基板边侧部分设有点胶参考点。

与现有技术相比，本实用新型的LED封装构造的有益效果在于：

1.制程与结构稳定性佳：其封装金属导线体经正极导电层部打线至总线导电层部，再打线至LED DIE晶片体的P阶部，并由N阶部打线至相邻的另外一个LED DIE晶片体间的总线导电层部，依序排列进行封装金属导线体串联或并联的导接打线，最后由LED DIE晶片体的N阶部打线导接至负极导电层部，使LED DIE晶片体因总线导电层部的设置而缩短打线距离，并减少发光区域的遮蔽及电路断路，且经由总线导电层部的金属光泽特性增加光线的散射性，以达到制程与结构稳定性及使用便利性佳的功效。

2.使用便利性佳：其总线导电层部的金属光泽特性增加光线的散射性，且LED DIE晶片体因总线导电层部的设置而缩短打线距离，故其使用便利性佳。

附图说明

图1是本实用新型的LED封装构造的立体结构示意图。

图2是本实用新型的LED封装构造的俯视状态示意图。

图3是本实用新型的LED封装构造的侧视状态示意图。

图4是本实用新型的LED封装构造的第一实施例的参考图。

图5是本实用新型的LED封装构造的第二实施例的参考图。