[实用新型]一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构。

背景技术

对通隔离扩散工艺广泛应用于半导体器件的生产，尤其在可控硅等产品的实际生产过程中，对通隔离扩散工艺质量的好坏直接影响到产品的V_RRM电压特性，主要原因为对通隔离扩散工艺过程时间长，温度高，造成横向扩散宽度大，从而导致V_RRM电压低或击穿软，为解决上述问题，特提供一种新的技术方案。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构。

本实用新型采用的技术方案是：

一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构， 包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通隔离扩散区和背面对通隔离扩散区，所述正面对通隔离扩散区内侧设有抑制横向扩散用环形槽，所述抑制横向扩散用环形槽一侧设有环形钝化槽。

所述背面对通隔离扩散区环宽为120-160um，正面对通隔离扩散区环宽为60-100um，所述抑制横向扩散用环形槽宽度为20-60um，深度为30-40um。

本实用新型的优点是：采用了抑制横向扩散用环形槽的方式，降低了对通隔离扩散过程中形成的横向扩散宽度，有效降低了横向扩散宽度对V_RRM电压特性的影响，提高了击穿电压及产品良率；同时采用正面对通隔离扩散区环宽窄、背面对通隔离扩散区环宽宽的结构，提高了背对通隔离扩散速度，扩散时间比原来减少了15-20h。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型方式形成的产品正面横向结构示意图。

图2为本实用新型方式形成的产品背面横向结构示意图。

图3为本实用新型方式形成的产品纵向结构示意图。

其中：1、环形玻璃钝化槽，2、正面对通隔离扩散区，3、抑制横向扩散用环形槽，4、背面对通隔离扩散区。

具体实施方式

如图1-3所示，本实用新型的一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构，包括抑制横向扩散用环形槽3、正面对通隔离扩散区2和背面对通隔离扩散区4，正面对通隔离扩散区2内侧设有抑制横向扩散用环形槽3，抑制横向扩散用环形槽3一侧设有环形钝化槽1，抑制横向扩散用环形槽3宽度为20-60um，深度为30-40um，背面对通隔离扩散区4环宽为120-160um，正面对通隔离扩散区环宽为60-100um，采用了抑制横向扩散用环形槽的方式，降低了对通隔离扩散过程中形成的横向扩散宽度，有效降低了横向扩散宽度对V_RRM电压特性的影响，提高了击穿电压及产品良率；同时采用正面对通隔离扩散区环宽窄、背面对通隔离扩散区环宽宽的结构，提高了背对通隔离扩散速度，扩散时间比原来减少了15-20h。