[实用新型]一种用于移动石墨舟上半导体晶粒的装置有效
申请号: | 201120275246.1 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN202159651U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 葛永明;韦德富;张洪海;任志龙 | 申请(专利权)人: | 苏州固锝电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡 |
地址: | 215153 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 移动 石墨 上半 导体 晶粒 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于二极管生产的工具,具体涉及一种用于移动石墨舟上半导体晶粒的装置。
背景技术
现有半导体晶粒往往涉及多种生产工艺,需要进行半导体晶粒转移。现有技术在吸附或转移的过程中晶粒经常会碰到预焊船和组焊船,很可能会损坏晶粒,导致产品最终不良;其次,由于气嘴平整度的原因或者气嘴磨损的原因使得个别气嘴与晶粒间隔太大而导致整盘晶粒不能完全吸起来。
发明内容
本实用新型提供一种用于移动石墨舟上半导体晶粒的装置,此装置改善晶粒损伤、提高产品良率、提高生产效率、提高产品可靠性、降低社会资源的损耗,达到环保生产。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于移动石墨舟上半导体晶粒的装置,包括:内设有空腔的把手、大盖板、至少一个小盖板、上固定板和下固定板;所述把手一端设有一与所述空腔连通的气嘴,此把手下表面设有至少一个与所述空腔连通的第一通气孔;所述小盖板上设有第一凹槽,此第一凹槽底部与小盖板上表面之间设有与所述第一通气孔相应的第二通气孔,此第二通气孔与所述第一通气孔通过气体连接管连通;
大盖板设有第二凹槽,此大盖板的上表面与所述小盖板的下表面接触从而由所述第一凹槽形成第一空腔,此第二凹槽底部与大盖板上表面之间设有连通所述第一空腔的第三通气孔;
所述上固定板上表面设有与所述第二凹槽相应的第三凹槽和位于此第三凹槽一侧并位于所述上固定板下表面的限位凸台;此上固定板上表面与所述大盖板下表面接触从而由所述第二凹槽和第三凹槽形成第二空腔;此第三凹槽底部与上固定板下表面之间设有若干个连通所述第二空腔的第四通气孔,此第四通气孔内固定地设置有固定气嘴,所述限位凸台具有螺丝孔;
所述下固定板设有与所述第四通气孔相应的通孔和螺丝沉头孔,一活动气嘴嵌入此通孔,此活动气嘴一端用于吸附位于所述石墨舟上半导体晶粒,其另一端与固定气嘴之间通过软管连通;一螺丝旋入所述限位凸台的螺丝孔和螺丝沉头孔内,从而固定所述上固定板和下固定板并形成一定的距离。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1、上述方案中,所述下固定板两端并位于其下表面上分别设有用于定位的定位销钉。
2、上述方案中,所述下固定板的下表面位于所述通孔一侧设有腰型槽。
3、上述方案中,所述第三凹槽内设有具有螺丝孔的螺丝孔凸台,一螺丝固定连接所述大盖板和上固定板的螺丝孔凸台。
4、上述方案中,所述大盖板和上固定板通过位于其各自两端的螺丝和螺孔固定连接。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型装置的气嘴接到其他设备提供的气以后,依次通过手柄、气体连接管、小盖板、大盖板、上固定板、固定气嘴、软管、活动气嘴,形成一个通气系统,这样就可以将晶粒从预先焊接好晶粒的工夹具(以下称预焊船)吸附到要组装焊接的工夹具上(以下称组焊船),完成转移动作。但是该晶粒转移吸盘的特点在于与晶粒接触的活动气嘴可以上下活动,即使晶粒碰到其他东西,晶粒也会跟着活动气嘴活动,从而晶粒有一个缓冲力,这样的话晶粒就不会轻易的损坏。其次,本实用新型装置因为活动吸嘴可以单个伸缩,所以只要轻轻往下压,所有的吸嘴就会在一个平面上,每个吸嘴与晶粒的间隙一致,甚至每个吸嘴都能贴在晶粒上,这样就能保证整盘晶粒都能吸起来,从而提高生产效率,节约宝贵的生产时间,使得资源能够充分利用。
附图说明
附图1为本实用新型下固定板结构示意图;
附图2为本实用新型上固定板结构示意图;
附图3为附图2的俯视图;
附图4为本实用新型大盖板结构示意图;
附图5为本实用新型小盖板结构示意图;
附图6为本实用新型组装结构示意图;
附图7为本附图6的俯视图。
以上附图中:1、把手;2、大盖板;3、小盖板;4、上固定板;5、下固定板;6、气嘴;7、第一通气孔;8、第一凹槽;9、第二通气孔;10、气体连接管;11、第二凹槽;12、第三通气孔;13、第三凹槽;14、限位凸台;15、第四通气孔;16、固定气嘴;17、通孔;18、螺丝沉头孔;19、活动气嘴;20、软管;21、定位销钉;22、腰型槽;23、螺丝孔凸台。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造