[实用新型]LED芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体照明技术领域，具体地说，涉及一种LED芯片封装结构。

背景技术

目前，大功率的蓝光发光二极管，因其节能环保效果显著，用途越来越广泛，正在从原来的公共照明领域向家用照明领域发展。

现有的蓝光芯片，大部分为横向结构， P电极和N电极设置在芯片的一侧，需要焊线机分别在P电极和N电极上打线，再涂覆荧光粉，盖上透镜，完成芯片封装。制作电极工艺复杂，焊线机焊线焊盘挡光严重，降低了光效，影响芯片寿命。因此使用常规芯片封装结构做成的器件光输出效率低、可靠性差。如何加大电流、提高光输出效率、提高其可靠性成为当前最为关心的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种光输出效率高、可靠性高，能够实现批量生产的LED芯片封装结构。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：LED芯片封装结构，包括基板，所述基板设有正电极区和负电极区；LED垂直结构芯片，所述LED垂直结构芯片的P面焊接于所述基板的正电极区；导电基材，所述导电基材焊接于所述基板的负电极区；涂布型透明导电材料层，所述涂布型透明导电材料层连接于所述LED垂直结构芯片的N面与导电基材的顶部；荧光层，所述荧光层设置在涂布型透明导电材料层的上面；模顶透镜，所述模顶透镜设置在基板上方，并包覆所述LED垂直结构芯片、导电基材、涂布型透明导电材料层和荧光层。

作为优选的技术方案，所述导电基材的厚度与所述LED垂直结构芯片的厚度相同。

作为优选的技术方案，所述基板是陶瓷基板、铜合金基板或铝合金基板。

作为优选的技术方案，所述基板的厚度为0.5mm～2mm。

作为优选的技术方案，所述导电基材为铜基材，铝基材，铜合金基材或者铝合金基材中的一种。

作为优选的技术方案，所述涂布型透明导电材料层的厚度为1um～10um。

作为优选的技术方案，所述荧光层为荧光晶体或者含荧光粉的硅胶，所述荧光层的厚度为0.2 mm～2mm。

由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：由于本实用新型的LED芯片封装结构包括基板，基板设有正电极区和负电极区； LED垂直结构芯片的P面焊接于基板的正电极区；导电基材焊接于基板的负电极区；涂布型透明导电材料层连接于LED垂直结构芯片的N面与导电基材的顶部；荧光层设置在涂布型透明导电材料层的上面；模顶透镜设置在基板上方，并包覆LED垂直结构芯片、导电基材、涂布型透明导电材料层和荧光层。本实用新型的LED芯片封装结构取消了现有技术中LED芯片N面的电极，以涂布型透明导电材料层结合荧光层形成无金线的封装结构，使LED芯片结构得到优化，芯片N面无需制作电极，无需电流扩散，无需焊盘，减少遮光，无电极制作，减化工艺。具有三维封装优势：芯片N面的电流注入与P面基本相似，形成等电位电流，可以注入大电流；电极形式优于梳状电极，可以加大芯片尺寸，提高光效，增加光通量，降低成本；无金线封装可增加器件稳定性，便于模块化生产。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型实施例的结构示意图；

图2是现有技术LED芯片的仰视示意图；

图3是图1的仰视示意图；

图中：1-基板；1A-正电极区；1B-负电极区;2- LED垂直结构芯片；3-导电基材；4-涂布型透明导电材料层；5-荧光层；6-模顶透镜；7-电极。

具体实施方式

如图1所示，LED芯片封装结构，包括基板1，所述基板1设有正电极区1A和负电极区1B；LED垂直结构芯片2，所述LED垂直结构芯片2的P面焊接于所述基板1的正电极区1A；导电基材3，所述导电基材3焊接于所述基板1的负电极区1B；涂布型透明导电材料层4，所述涂布型透明导电材料层4连接于所述LED垂直结构芯片2的N面与导电基材3的顶部；荧光层5，所述荧光层5设置在涂布型透明导电材料层4的上面；模顶透镜6，所述模顶透镜6设置在基板1的上方，并包覆所述LED垂直结构芯片2、导电基材3、涂布型透明导电材料层4和荧光层5。

本实用新型的LED芯片封装结构的制作方法如下：

先制作基板1，基板1可以选用陶瓷基板、铜基板、铜合金基板、铝基板或者铝合金基板，最好选用陶瓷基板，基板1的厚度为0.5mm～2mm，按常规工艺，做上正电极区1A和负电极区1B。