[实用新型]PVA像素电极及相应的液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201120280284.6 申请日: 2011-08-03
公开(公告)号: CN202177768U 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 姚晓慧;徐哲豪;薛景峰 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/139
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: pva 像素 电极 相应 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种PVA像素电极,包括:

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。

2.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um。

3.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极为“》”型电极时,所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的右上方、右下方以及左部中间。

4.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极为“《”型电极时,所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的左上方、左下方以及右部中间。

5.一种PVA像素电极,包括:

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。

6.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至15um。

7.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第二电极为“》”型电极时,所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的右上方、右下方以及左部中间。

8.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第二电极为“《”型电极时,所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的左上方、左下方以及右部中间。

9.一种PVA像素电极,包括:

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。

10.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um;所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至15um。

11.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极和所述第二电极均为“》”型电极时,所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的右上方、右下方以及左部中间。

12.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极和所述第二电极均为“《”型电极时,所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的左上方、左下方以及右部中间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120280284.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top