[实用新型]PVA像素电极及相应的液晶显示装置有效
申请号: | 201120280284.6 | 申请日: | 2011-08-03 |
公开(公告)号: | CN202177768U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 姚晓慧;徐哲豪;薛景峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/139 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pva 像素 电极 相应 液晶 显示装置 | ||
1.一种PVA像素电极,包括:
位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及
位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。
2.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um。
3.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极为“》”型电极时,所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的右上方、右下方以及左部中间。
4.根据权利要求1所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极为“《”型电极时,所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的左上方、左下方以及右部中间。
5.一种PVA像素电极,包括:
位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及
位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。
6.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至15um。
7.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第二电极为“》”型电极时,所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的右上方、右下方以及左部中间。
8.根据权利要求5所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第二电极为“《”型电极时,所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的左上方、左下方以及右部中间。
9.一种PVA像素电极,包括:
位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极;以及
位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极,其特征在于,在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。
10.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um;所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至15um。
11.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极和所述第二电极均为“》”型电极时,所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的右上方、右下方以及左部中间。
12.根据权利要求9所述的PVA像素电极,其特征在于,当所述第一电极和所述第二电极均为“《”型电极时,所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的左上方、左下方以及右部中间。
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