[实用新型]PVA像素电极及相应的液晶显示装置

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及液晶显示领域，特别是涉及一种可提高像素的穿透率和显示质量的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。 

【背景技术】

PVA(Patterned Vertical Alignment，图像垂直调整技术)作为液晶VA(Vertical Alignment，垂直调整技术)显示中的一种模式，其利用TFT(Thin film transistor，薄膜场效应管)和CF(彩色滤光片，color filter))侧的图案形成的电场来控制液晶的指向，可以省去PI(polyimide)层的摩擦取向工艺。 

传统上采用的“》”型或“《”型的PVA像素结构，如图1A和图1B所示，由于“》”型或“《”型PVA像素电极的边缘与内部结构的差异，导致PVA像素边缘电场分布异于内部，在液晶上产生边缘场效应，使得TFT和CF侧的“》”型或“《”型边缘的交接处产生旋转位移(disclination)，影响像素的显示质量和降低像素的开口率，如图5A所示，图中做了标记的地方由于边缘场效应，液晶产生了旋转位移，使得像素出现暗纹，穿透率降低，影响像素的显示质量。 

故，有必要提供一种PVA像素电极及相应的液晶显示装置， 以解决现有技术所存在的问题。 

【实用新型内容】

本实用新型针对现有技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置的PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开口率的缺陷，提供一种通过修改TFT侧或CF侧的边缘交界处的ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。 

本实用新型的主要目的在于提供一种PVA像素电极，一种PVA像素电极，包括： 

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及 

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。 

在本实用新型的一实施例中，所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第一电极为“》”型电极时，所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的右上方、右下方以及左部中间。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第一电极为“《”型电极时，所述第一电极设置的ITO间隙位于所述第一电极的左上 方、左下方以及右部中间。 

本实用新型还提供了另一种PVA像素电极，包括： 

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及 

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。 

在本实用新型的一实施例中，所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至15um。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第二电极为“》”型电极时，所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的右上方、右下方以及左部中间。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第二电极为“《”型电极时，所述第二电极设置的ITO间隙位于所述第二电极的左上方、左下方以及右部中间。 

本实用新型还提供了另一种PVA像素电极，包括： 

位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及 

位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，其特征在于，在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置有提高像素显示质量的不等长的ITO间隙。 

在本实用新型的一实施例中，所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为1um至10um；所述第二电极设置的相邻ITO 间隙端的长度差为1um至15um。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第一电极和所述第二电极均为“》”型电极时，所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的右上方、右下方以及左部中间。 

在本实用新型的一实施例中，当所述第一电极和所述第二电极均为“《”型电极时，所述第一电极和所述第二电极设置的ITO间隙均位于电极的左上方、左下方以及右部中间。