[实用新型]晶舟和炉管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶舟和炉管。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。

在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管。请参阅图1～图3，其中，图1所示是现有的炉管的结构示意图，图2所示为现有的晶舟的结构示意图，图3所示是现有的晶舟支撑架的结构示意图。由图1～图3可见，现有的炉管具有一腔室100，所述腔室100内设有晶舟110和晶舟支撑架120，所述晶舟110用于放置晶圆，所述晶舟110安装于所述晶舟支撑架120上。所述晶舟110包括顶板111、底板112以及连接于所述顶板111和底板112之间的若干支柱113。所述晶舟支撑架120包括底座121和圆形连接支架122，所述圆形连接支架122固定于所述底座121上。由于圆形连接支架122需要对晶舟110起到一定的支撑作用，因此，圆形连接支架122一般采用强度较高的金属材质。

但是，在实际的使用和维护过程中发现，用于固定晶舟110的圆形连接支架122上面尤其是侧面会淀积一层薄膜(例如是多晶硅薄膜)。且由于金属材质的圆形连接支架122的热膨胀系数比较小，因此，淀积在圆形连接支架122上的薄膜非常疏松，很容易被氮气(N₂)气流带起而造成炉管底部的颗粒物质超标，而这些超标的颗粒物质容易吸附到晶圆上，造成产品良率下降。

因此，如何提供一种可以防止颗粒物质产生的晶舟和炉管是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶舟和炉管，通过晶舟的底板下方设置环形罩，可以遮盖晶舟支撑架上容易淀积多晶硅薄膜的部分即圆形连接支架，有效避免制程气体淀积到圆形连接支架上形成薄膜，避免颗粒物质产生。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶舟，安装于晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。

优选地，在上述的晶舟中，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。

优选地，在上述的晶舟中，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。

本实用新型还公开了一种炉管，包括晶舟支撑架和晶舟，所述晶舟安装在所述晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。

优选地，在上述的炉管中，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。

优选地，在上述的炉管中，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。

优选地，在上述的炉管中，所述圆形连接支架是金属材质的连接支架。

优选地，在上述的炉管中，还包括盖板和若干螺栓组件，所述晶舟通过所述盖板和所述若干螺栓组件安装于所述晶舟支撑架上，所述盖板和所述圆形连接支架对应开设有若干与所述若干螺栓组件对应的螺孔。

优选地，在上述的炉管中，所述盖板是碳化硅材质的盖板。

优选地，在上述的炉管中，还包括晶舟升降机构，所述晶舟升降机构设置于所述晶舟支撑架下方。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供一种晶舟和炉管，通过晶舟的底板下方设置环形罩，该环形罩可以遮盖住晶舟支撑架上容易淀积薄膜(例如是多晶硅薄膜)的部分即可以遮盖住所述圆形连接支架的侧面，有效避免制程气体淀积到金属材质的圆形连接支架上形成疏松的薄膜，从而有效避免颗粒物质产生，确保了晶圆的良率。

另外，通过将连接用的盖板由原来的金属材质改成碳化硅(SiC)材质，由于SiC材质的盖板的热膨胀系数较大，因此，淀积在SiC材质的盖板上的薄膜比较致密，不容易被氮气(N₂)气流带起，不会造成炉管腔室内颗粒物质超标，从而进一步确保晶圆的良率。

附图说明

本实用新型的晶舟和炉管由以下的实施例及附图给出。

图1所示是现有的炉管的结构示意图；

图2所示为现有的晶舟的结构示意图；

图3所示是现有的晶舟支撑架的结构示意图；