[实用新型]大直径MOCVD反应器的喷淋头有效
申请号: | 201120316554.4 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN202193844U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 徐小明;周永君;邬建伟;丁云鑫 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直径 mocvd 反应器 喷淋 | ||
1.大直径MOCVD反应器的喷淋头,包括III族腔、V族腔以及冷却水腔,其特征在于,III族腔、V族腔以及冷却水腔均分隔为N个腔体,N是大于等于2的自然数,每腔体均为一单体。
2.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,冷却水腔的各个腔体的进水部位于各个腔体的内侧中心,且出水部位于各个腔体的外周位置。
3.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,在喷淋头的正中间,通入一根V气体的管道至喷淋头下方的反应腔。
4.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,III族腔的各腔体通过一块配流孔板分成上、下两个腔,上、下两个腔通过配流孔板上的孔相通。
5.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,所述N个腔体为四个等分的腔体。
6.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于,III族腔、V族腔以及冷却水腔为圆形,II族腔、V族腔以及冷却水腔的各个腔体为扇形。
7.如权利要求4所述的喷淋头,其特征在于,包括顶部组件和喷淋组件,顶部组件包括上盖板,上盖板提供有所述III族腔,上盖板上形成有III族气体进入通道,该III族气体进入通道与所述III族腔的上腔连通;喷淋组件包括N个喷淋单元,各喷淋单元包括上孔板、中间孔板、下孔板、圈围侧壁、上毛细管组以及下毛细管组,上孔板、中间孔板以及环绕上孔板、中间孔板的圈围侧壁围成所述V族腔的一个腔体,圈围侧壁上形成有通往V族腔的该腔体的V族气体进入通道,中间孔板、下孔板以及环绕中间孔板、下孔板的圈围侧壁围成所述冷却水腔的一个腔体,上毛细管组的各管穿设在上孔板、中间孔板、下孔板的孔中,下毛细管组的各管穿设在中间孔板、下孔板的孔中,V族腔和冷却水腔不相通,下毛细管组将V族腔和喷淋头下方的反应腔导通;喷淋组件位于顶部组件的下方,上毛细管组的各管将下III族腔与喷淋头下方的反应腔导通;上毛细管组和下毛细管组交错布置。
8.如权利要求7所述的喷淋头,其特征在于,喷淋组件的外围环绕有冷却水环。
9.如权利要求7所述的喷淋头,其特征在于,还包括用于分配冷却水的配流管,各冷却水腔的各个腔体的进水部位于各个腔体的内侧中心,且出水部位于各个腔体的外周位置,各进水部通过进水管连接至同一该配流管。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的