[实用新型]大直径MOCVD反应器的喷淋头有效
申请号: | 201120316554.4 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN202193844U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 徐小明;周永君;邬建伟;丁云鑫 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直径 mocvd 反应器 喷淋 | ||
技术领域
本实用新型涉及输送气体的喷淋装置,尤其涉及MOCVD反应器的喷淋头,包括流通III族气体的III族腔、流通V族气体的V族腔以及流通冷却水的冷却水腔。
背景技术
MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写,为一种非平衡态生长技术,它依赖于先驱物的蒸汽运输和加热区中III族烷基类和V族氢化物的后续反应,将生长气体和掺杂物提供给反应器并将其沉积在衬底表面。
MOCVD反应器中使用的常规喷淋头,诸如Thomas Swan Scientific EquipmentLimited所提供的,具有三腔的“三明治”结构,III族气体经配流管道、III族腔流入反应腔体,V族气体经V族腔流入反应腔体,最下面一层是冷却水腔。
随着LED产业的迅速发展,竞争的加剧,市场非常迫切地提出高产量MOCVD的需求;MOCVD的核心部分是反应器,扩大反应器的直径是提高产量的快速而又有效的方法。如果单纯地扩大常规喷淋头的直径,将会碰到下列几个问题:
第一、喷淋头加工、制造难度急剧增大,并且会伴随着良率的下降;
第二、喷淋头的冷却会遇到更大的困难;
第三、III族气体在腔体直径方向浓度分布会面临更大的挑战。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种大直径MOCVD反应器的喷淋头,该喷淋头即使直径增加了,加工难度也不会明显增加。
为实现所述目的的大直径MOCVD反应器的喷淋头,包括III族腔、V族腔以及冷却水腔,其特点是,III族腔、V族腔以及冷却水腔均分隔为N个腔体,N是大于等于2的自然数,每腔体均为一单体。
由于将III族腔、V族腔以及冷却水腔分隔为各自独立的至少两个腔体。因此大大地减小了单体的加工面积,即使MOCVD反应器具有大直径,喷淋头加工、制造难度也不会有明显增加,并且由于III族腔、V族腔、冷却水腔分割为至少两个腔体,这样在使用过程中如果部分腔体出现泄漏,可以仅替换该部分腔体,无需整体进行替换,方便维护,减少维护成本。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,冷却水腔的各个腔体的进水部位于各个腔体的内侧中心,且出水部位于各个腔体的外周位置。
冷却水由内侧中心进水,外周出水,减小的冷却水路径,有利于提高冷效果。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,在喷淋头的正中间,通入一根V气体的管道至喷淋头下方的反应腔。
在喷淋头的正中间,通入一根V气体的管道,可以改善V气体的浓度分布,并改善气体的流态。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,III族腔的各腔体通过一块配流孔板分成上、下两个腔,上、下两个腔通过配流孔板上的孔相通。
III族腔通过配流孔板分成上下两个腔,利用配流孔板上的小孔布局的不同,改变III族气体在直径方向的浓度分布。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,所述N个腔体为四个等分的腔体。
四个等分的腔体相对于单个的腔体的尺寸大大减小,即使MOCVD反应器具有大直径,喷淋头加工、制造难度也不会有明显增加。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,III族腔、V族腔以及冷却水腔为圆形,每一该腔体为扇形。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,包括顶部组件和喷淋组件,顶部组件包括上盖板,上盖板提供有所述III族腔,上盖板上形成有III族气体进入通道,该III族气体进入通道与所述III族腔的上腔连通;喷淋组件包括N个喷淋单元,各喷淋单元包括上孔板、中间孔板、下孔板、圈围侧壁、上毛细管组以及下毛细管组,上孔板、中间孔板以及环绕上孔板、中间孔板的圈围侧壁围成所述V族腔的一个腔体,圈围侧壁上形成有通往V族腔的该腔体的V族气体进入通道,中间孔板、下孔板以及环绕中间孔板、下孔板的圈围侧壁围成所述冷却水腔的一个腔体,上毛细管组的各管穿设在上孔板、中间孔板、下孔板的孔中,下毛细管组的各管穿设在中间孔板、下孔板的孔中,V族腔和冷却水腔不相通,下毛细管组将V族腔和喷淋头下方的反应腔导通;喷淋组件位于顶部组件的下方,上毛细管组的各管将下III族腔与喷淋头下方的反应腔导通;上毛细管组和下毛细管组交错布置。
所述的喷淋头,其进一步的特点是,喷淋组件的外围环绕有冷却水环。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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